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RN1108FS

更新时间： 2024-01-18 23:11:36

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东芝 - TOSHIBA		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	106K
描述
TRANSISTOR 50 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, FSM, 2-1E1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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技术参数
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RN1108FS 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FSM, 2-1E1A, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.71	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.14
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

RN1108FS 数据手册

RN1107FS~RN1109FS

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor)

RN1107FS,RN1108FS,RN1109FS

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and

Unit: mm

Driver Circuit Applications

•

Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.

Reducing the parts count enable the manufacture of ever more

compact equipment and save assembly cost.

Complementary to RN2107FS~RN2109FS

0.8±0.05

1.0±0.05

Equivalent Circuit and Bias Resistor Values

0.1±0.05

Type No.

R1 (kΩ)

R2 (kΩ)

RN1107FS

RN1108FS

RN1109FS

0.1±0.05

1.BASE

2.EMITTER

fSM

3.COLLECOTR

JEDEC

JEITA

―

TOSHIBA

2-1E1A

Maximum Ratings

(Ta = 25°C) (Q1, Q2 common)

Weight: 0.0006g (typ.)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

CBO

CEO

RN1107FS~

RN1109FS

RN1107FS

RN1108FS

RN1109FS

Emitter-base voltage

EBO

Collector current

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

RN1107FS~

RN1109FS

150

−55~150

stg

°C

2004-03-01

12 3 4 5 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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