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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> RN1108CT
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RN1108CT

更新时间： 2024-11-02 12:23:03
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体驱动器开关小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 157K
描述
Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications

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RN1108CT 技术参数

生命周期：Lifetime Buy包装说明：CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.73其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.14
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：0.05 A
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-XBCC-N3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

RN1108CT 数据手册

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RN1107CT ~ RN1109CT  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor)  
RN1107CT,RN1108CT,RN1109CT  
Switching Applications  
Unit: mm  
Inverter Circuit Applications  
0.6±0.05  
Interface Circuit Applications  
0.5±0.03  
Driver Circuit Applications  
３
•
Incorporating a bias resistor into a transistor reduces the number of  
parts, which enable the manufacture of ever more compact  
equipment and saves assembly cost.  
１
２
•
Complementary to RN2107CT to RN2109CT  
0.05±0.03  
0.35±0.02  
0.15±0.03  
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values  
C
Type No.  
R1 (kΩ)  
R2 (kΩ)  
1.BASE  
2.EMITTER  
3.COLLECTOR  
RN1107CT  
RN1108CT  
RN1109CT  
10  
22  
47  
47  
47  
22  
R1  
B
CST3  
JEDEC  
JEITA  
―
―
E
TOSHIBA  
2-1J1A  
Weight: 0.75 mg (typ.)  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-base voltage  
V
V
20  
V
V
CBO  
CEO  
RN1107CT to RN1109CT  
Collector-emitter voltage  
20  
RN1107CT  
6
Emitter-base voltage  
V
V
RN1108CT  
RN1109CT  
7
15  
EBO  
Collector current  
I
50  
mA  
mW  
°C  
C
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
50  
C
RN1107CT to RN1109CT  
T
150  
j
T
stg  
−55 to 150  
°C  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even  
if the operating conditions (i.e.operatingtemperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
1
2009-04-13  
123456

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与RN1108CT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RN1108CT(TPL3) TOSHIBA

获取价格

 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,20V V(BR)CEO,50MA I(C),SOT-883
RN1108F ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416
RN1108FS TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 50 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, FSM, 2-1E1A, 3 PIN, BIP General
RN1108FS(TPL3) TOSHIBA

获取价格

 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,20V V(BR)CEO,50MA I(C),SMT
RN1108FT TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, THIN, TESM, 2-1B1A, 3 PIN, BIP
RN1108MFV TOSHIBA

获取价格

 		暂无描述
RN1108MFV(TL3MAA) TOSHIBA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
RN1109 TOSHIBA

获取价格

 		Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
RN1109(T5L,F,T) TOSHIBA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor
RN1109(TE85L) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SSM, 2-2H1A, 3 PIN, BIP General

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