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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.46 | 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.14 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 基于收集器的最大容量： | 6 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | BIP General Purpose Small Signal | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.3 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RN1108(TE85L) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SSM, 2-2H1A, 3 PIN, BIP General |
|
| RN1108(TE85L,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416 |
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| RN1108(TE85R) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SSM, 2-2H1A, 3 PIN, BIP General |
|
| RN1108ACT | TOSHIBA |
获取价格 |
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications |
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| RN1108ACT(TPL3) | TOSHIBA |
获取价格 |
PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,80MA I(C),SMT |
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| RN1108CT | TOSHIBA |
获取价格 |
Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver |
|
| RN1108CT(TPL3) | TOSHIBA |
获取价格 |
PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,20V V(BR)CEO,50MA I(C),SOT-883 |
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| RN1108F | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416 |
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| RN1108FS | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 50 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, FSM, 2-1E1A, 3 PIN, BIP General |
|
| RN1108FS(TPL3) | TOSHIBA |
获取价格 |
PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,20V V(BR)CEO,50MA I(C),SMT |
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