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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | PLASTIC, MO-235, LFPAK-4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.25 | 雪崩能效等级（Eas）： | 202 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 21.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 21.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.102 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 113 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 65 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| PSMN102-200Y | NXP |
功能相似  |
N-channel TrenchMOS standard level FET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PSMN130-200D | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS transistor |
|
| PSMN130-200D,118 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET DPAK 3-Pin |
|
| PSMN130-200D/T3 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 20 A, 200 V, 0.13 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, PLASTIC, SC-63, DP |
|
| PSMN165-200K | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode field-effect transistor |
|
| PSMN165-200K,118 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET SOIC 8-Pin |
|
| PSMN165-200K,518 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET SOIC 8-Pin |
|
| PSMN165-200K/T3 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 2900 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA, PLASTIC, MS-012, |
|
| PSMN1R0-100ASE | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel, 100 V, 1.04 mOhm, MOSFET with enhanced SOA in CCPAK1212 packageDevelopment |
|
| PSMN1R0-100ASF | NEXPERIA |
获取价格 |
NextPower 100 V, 0.99 mOhm, N-channel MOSFET in CCPAK1212 packageDevelopment |
|
| PSMN1R0-100CSF | NEXPERIA |
获取价格 |
NextPower 100 V, 1.04 mOhm, N-channel MOSFET in CCPAK1212i packageDevelopment |
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