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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | PLASTIC, POWER-SO8, LFPAK-4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 7.96 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 342 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 25 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 100 A | 最大漏源导通电阻： | 0.00125 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | MO-235 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 1563 A | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PSMN0R9-25YLD | NEXPERIA |
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N-channel 25 V, 0.85 mΩ, 300 A logic level MO |
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| PSMN0R9-30ULD | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 30 V, 0.87 mOhm, 300 A level Application Specific MOSFET in SOT1023A enhanced pa |
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| PSMN0R9-30YLD | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power |
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| PSMN0R9-30YLD | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 30 V, 0.87 mΩ, 300 A logic level MO |
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| PSMN102-200Y | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FET |
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| PSMN102-200Y | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FETProduction |
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| PSMN102-200Y,115 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET SOIC 4-Pin |
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| PSMN130-200D | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS transistor |
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| PSMN130-200D,118 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET DPAK 3-Pin |
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| PSMN130-200D/T3 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 20 A, 200 V, 0.13 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, PLASTIC, SC-63, DP |
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