NTE5579

更新时间： 2024-11-26 07:14:19

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NTE		栅极触发装置可控硅整流器
页数	文件大小	规格书
2页	23K
描述
Silicon Controlled Rectifier (SCR) 125 Amp

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NTE5579 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-X2
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	2.11	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ANODE	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	125 mA	最大直流栅极触发电压：	3 V
JEDEC-95代码：	TO-83	JESD-30 代码：	O-MUPM-X2
通态非重复峰值电流：	1600 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最大通态电流：	125000 A
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	125 A	断态重复峰值电压：	1200 V
重复峰值反向电压：	1200 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

NTE5579 数据手册

NTE5575, NTE5577, NTE5579

Silicon Controlled Rectifier (SCR)

125 Amp

Electrical Characteristics:

Repetitive Peak Forward Blocking Voltage, V_DRM

NTE5575 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V

NTE5577 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

NTE5579 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V

Repetitive Peak Reverse Voltage, V_RRM

NTE5575 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V

NTE5577 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

NTE5579 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V

Non–Repetitive Transient Peak Reverse Voltage, V_RSM

NTE5575 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V

NTE5577 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V

NTE5579 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1300V

Maximum RMS On–State Current, I_T(RMS). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125A

Maximum Average On–State Current (+180° Conduction, T_C= +80°C), I_T(AV). . . . . . . . . . . . . . 70A

Maximum Peak One–Cycle, Non–Repetitive Surge Current, I_TSM

50Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1400A

60Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1500A

Maximum I²t for Fusing (1.5ms), I²t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7000A²sec

Peak On–State Voltage (T_C= +25°C, +180°C Conduction, Rated I_T(AV)), V_TM. . . . . . . . . . . . . . . 2V

Maximum Thermal Resistance, DC, Junction to Case, R_Θ

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.3°C/W

Typical Turn–Off Time (T_J= +125°C), t_q. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100µs

Rate–of–Rise of Turned–On Current, di/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200A/µs

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +125°C

Maximum Critical Rate–of–Rise of Off–State Voltage, dv/dt

(Exponential @ T_J= +125°C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V/µs

Maximum Required Gate Trigger Current, I_GT

T_J= –40°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mA

T_J= –25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125mA

Maximum Required Gate TriggerVoltage (T_J= +25°C), V_GT. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mA

Maximum Forward Voltage Drop (I_TM= 500A, T_J= +25°C). V_F. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.8V

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NTE5574	NTE	完全替代	Silicon Controlled Rectifier for Phase Control Applications
80RIA120PBF	VISHAY	类似代替	Phase Control Thyristors (Stud Version), 80 A
55C80B	MICROSEMI	功能相似	Silicon Controlled Rectifier

与NTE5579相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE558	NTE	获取价格	General Purpose Silicon Rectifier
NTE5580	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier for Phase Control Applications
NTE5582	ETC	获取价格
NTE5584	ETC	获取价格
NTE5585	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier for Phase Control Applications
NTE5586	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier for Phase Control Applications
NTE5587	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier for Phase Control Applications
NTE5588	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier for Phase Control Applications
NTE5589	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier for Phase Control Applications
NTE559	NTE	获取价格	Voltage Multiplier Diode, Silicon,

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