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NTE5593

更新时间: 2024-11-26 07:14:23
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NTE 可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
2页 27K
描述
Silicon Controlled Rectifier for Phase Control Applications

NTE5593 技术参数

生命周期:Active包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.24外壳连接:ANODE
标称电路换相断开时间:7 µs配置:SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率:300 V/us最大直流栅极触发电流:150 mA
最大直流栅极触发电压:3 VJESD-30 代码:O-MUPM-H3
最大漏电流:30 mA通态非重复峰值电流:10000 A
元件数量:1端子数量:3
最大通态电流:550000 A最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:550 A
断态重复峰值电压:1600 V重复峰值反向电压:1600 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:NO
端子形式:HIGH CURRENT CABLE端子位置:UPPER
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

NTE5593 数据手册

 浏览型号NTE5593的Datasheet PDF文件第2页 
NTE5587, NTE5589, NTE5593  
Silicon Controlled Rectifier  
for Phase Control Applications  
Features:  
D Low On–State Voltage  
D High di/dt  
D High dv/dt  
D Excellent Surge and I2t Ratings  
Applications:  
D Power Supplies  
D Battery Chargers  
D Motor Controls  
Absolute Maximum Ratingsand Electrical Characteristics:  
Repetitive Peak Voltages, VDRM & VRRM  
NTE5587 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V  
NTE5589 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V  
NTE5593 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V  
RMS On–State Current, IT(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 550A  
Average On–State Current, IT(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350  
Peak One–Cycle, Non–Repetitive On–State Surge Current, ITSM  
50Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9100A  
60Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10,000A  
Critical Rate–of–Rise of On–State Current, di/dt  
Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150A/µs  
Non–Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800A/µs  
I2t fo Fusing (8.2ms), I2t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 416,000A2sec  
Peak Gate Power Dissipation, PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16W  
Average Gate Power Dissipation, PG(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3W  
Peak On–State Voltage (ITM = 625A, TJ = +25°C), VTM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.4V  
Peak Forward Leakage Current (At VDRM, TJ = +125°C), IDRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30mA  
Peak Reverse Leakage Current (At VRRM, TJ = +125°C), IRRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30mA  
Gate Current to Trigger (VD = 12V, TJ = +25°C), IGT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150mA  
Gate Voltage to Trigger (VD = 12V, TJ = +25°C), VGT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V  
Non–Triggering Gate Voltage (At VDRM, TJ = +125°C), VGDM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.15V  

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