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NTE56040

更新时间: 2024-11-26 07:14:27
品牌 Logo 应用领域
NTE 栅极触发装置三端双向交流开关局域网
页数 文件大小 规格书
2页 23K
描述
TRIAC, 4A Sensitive Gate

NTE56040 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:SFM
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:2.17Is Samacsys:N
外壳连接:MAIN TERMINAL 2配置:SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率:50 V/us最大直流栅极触发电流:10 mA
最大直流栅极触发电压:1.5 V最大维持电流:15 mA
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
最大漏电流:0.5 mA元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:4 A
断态重复峰值电压:500 V子类别:TRIACs
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE触发设备类型:4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
Base Number Matches:1

NTE56040 数据手册

 浏览型号NTE56040的Datasheet PDF文件第2页 
NTE56040 & NTE56041  
TRIAC, 4A Sensitive Gate  
Description:  
The NTE56040 and NTE56041 are glass passivated, sensitive gate TRIACs in a TO220 type package  
designed for use in general purpose bidirectional switching and phase control applications, where  
high sensitivity is required in all four quadrants.  
Absolute Maximum Ratings:  
Repetitive Peak Off–Sate Voltage (Note 1), VDRM  
NTE56040 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V  
NTE56041 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V  
RMS On–State Current (Full Sine Wave, TMB 107°C), IT(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A  
Non–Repetitive Peak On–State Current, ITSM  
(Full Sine Wave, TJ = +125°C prior to Surge, with Reapplied VDRMmax)  
t = 20ms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25A  
t = 16.7ms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27A  
I2t for Fusing (t = 10ms), I2t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.1A2sec  
Repetitive Rate–of–Rise of On–State Current after Triggering, dIT/dt  
(ITM = 6A, IG = 0.2A, dIG/dt = 0.2A/µs)  
MT2 (+), G (+) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A/µs  
MT2 (+), G (–) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A/µs  
MT2 (–), G (–) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A/µs  
MT2 (–), G (+) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A/µs  
Peak Gate Current, IGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A  
Peak Gate Voltage, VGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V  
Peak Gate Power, PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5W  
Average Gate Power (Over Any 20ms Period), PG(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mW  
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +125°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Mounting Base, RthJMB  
Full Cycle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.0K/W  
Half Cycle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.7K/W  
Typical Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60K/W  
Note 1. Although not recommended, off–state voltages up to 800V may be applied without damage,  
but the TRIAC may switch to the On–State. The rate–of–rise of current should not exceed  
3A/µs.  

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