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NTE56070

更新时间: 2024-11-26 04:35:59
品牌 Logo 应用领域
NTE 可控硅三端双向交流开关
页数 文件大小 规格书
2页 23K
描述
TRIAC, 25A, High Commutation

NTE56070 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:SFM
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:2.17外壳连接:MAIN TERMINAL 2
配置:SINGLE关态电压最小值的临界上升速率:1000 V/us
最大直流栅极触发电流:50 mA最大直流栅极触发电压:1.5 V
最大维持电流:60 mAJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3最大漏电流:0.5 mA
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:25 A断态重复峰值电压:600 V
子类别:TRIACs表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
触发设备类型:SNUBBERLESS TRIACBase Number Matches:1

NTE56070 数据手册

 浏览型号NTE56070的Datasheet PDF文件第2页 
NTE56070 & NTE56071  
TRIAC, 25A, High Commutation  
Description:  
The NTE56070 and NTE56071 are glass passivated, high commutation TRIACs in a TO220 type  
package designed for use in circuits where high static and dynamic dV/dt and high dI/dt can occur.  
These devices will commutate the full rated RMS current at the maximum rated junction temperature,  
without the aid of a snubber.  
Absolute Maximum Ratings:  
Repetitive Peak Off–Sate Voltage (Note 1), VDRM  
NTE56070 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V  
NTE56071 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V  
RMS On–State Current (Full Sine Wave, TMB 91°C), IT(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25A  
Non–Repetitive Peak On–State Current, ITSM  
(Full Sine Wave, TJ = +25°C prior to Surge)  
t = 20ms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 190A  
t = 16.7ms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 209A  
I2t for Fusing (t = 10ms), I2t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 180A2sec  
Repetitive Rate–of–Rise of On–State Current after Triggering, dIT/dt  
(ITM = 30A, IG = 0.2A, dIG/dt = 0.2A/µs) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100A/µs  
Peak Gate Current, IGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A  
Peak Gate Voltage, VGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V  
Peak Gate Power, PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5W  
Average Gate Power (Over Any 20ms Period), PG(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mW  
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +125°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Mounting Base, RthJMB  
Full Cycle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0K/W  
Half Cycle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.4K/W  
Typical Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60K/W  
Note 1. Although not recommended, off–state voltages up to 800V may be applied without damage,  
but the TRIAC may switch to the on–state. The rate–of–rise of current should not exceed  
15A/µs.  

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