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NTE56049

更新时间： 2024-09-16 07:14:27

品牌	Logo	应用领域
NTE		三端双向交流开关
页数	文件大小	规格书
2页	23K
描述
TRIAC, 4A Low Logic Level

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NTE56049 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SFM
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	2.17	外壳连接：	MAIN TERMINAL 2
配置：	SINGLE	关态电压最小值的临界上升速率：	5 V/us
最大直流栅极触发电流：	5 mA	最大直流栅极触发电压：	1.5 V
最大维持电流：	10 mA	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	最大漏电流：	0.5 mA
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	4 A	断态重复峰值电压：	500 V
子类别：	TRIACs	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
触发设备类型：	4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC	Base Number Matches：	1

NTE56049 数据手册

NTE56039

TRIAC, 4A Sensitive Gate

Description:

The NTE56039 is a glass passivated TRIAC in a plastic SOT89 type package designed for use in general

purpose bidirectional switching and phase control applications, where high sensitivity is required in all four

quadrants.

Absolute Maximum Ratings:

Repetitive Peak Off–Sate Voltage (Note 1), V_DRM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V

RMS On–State Current (Full Sine Wave, T_MB≤ 107°C), I_T(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A

Non–Repetitive Peak On–State Current (Full Sine Wave, T_J= +25°C prior to Surge), I_TSM

t = 20ms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25A

t = 16.7ms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27A

I²t for Fusing (t = 10ms), I²t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.1A²sec

Repetitive Rate–of–Rise of On–State Current after Triggering, dI_T/dt

(I_TM= 6A, I_G= 0.2A, dI_G/dt = 0.2A/µs)

MT₂(+), G (+) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A/µs

MT₂(+), G (–) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A/µs

MT₂(–), G (–) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A/µs

MT₂(–), G (+) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A/µs

Peak Gate Current, I_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A

Peak Gate Voltage, V_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Peak Gate Power, P_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5W

Average Gate Power (Over Any 20ms Period), P_G(AV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mW

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +125°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Mounting Base, R_thJMB

Full Cycle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.0K/W

Half Cycle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.7K/W

Typical Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100K/W

Note 1. Although not recommended, off–state voltages up to 800V may be applied without damage,

but the TRIAC may switch to the On–State. The rate–of–rise of current should not exceed

3A/µs.

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