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NTE56063

更新时间: 2024-11-28 07:14:27
品牌 Logo 应用领域
NTE 栅极触发装置三端双向交流开关局域网
页数 文件大小 规格书
2页 24K
描述
TRIAC, 8A, High Commutation

NTE56063 技术参数

生命周期:Active包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:2.17Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率:1000 V/us最大直流栅极触发电流:50 mA
最大直流栅极触发电压:1.5 V最大维持电流:60 mA
JESD-30 代码:R-PSFM-T3最大漏电流:0.5 mA
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:125 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:8 A
断态重复峰值电压:600 V子类别:TRIACs
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE触发设备类型:SNUBBERLESS TRIAC
Base Number Matches:1

NTE56063 数据手册

 浏览型号NTE56063的Datasheet PDF文件第2页 
NTE56045 thru NTE56047  
TRIAC, 16A, Sensitive Gate  
Description:  
The NTE56045 through NTE56047 are glass passivated, sensitive gate TRIACs in an isolated full–  
pack type package designed for use in general purpose bidirectional switching and phase control  
applications, where high sensitivity is required in all four quadrants.  
Absolute Maximum Ratings:  
Repetitive Peak Off–Sate Voltage, VDRM  
NTE56045 (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V  
NTE56046 (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V  
NTE56047 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V  
RMS On–State Current (Full Sine Wave, THS 38°C), IT(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16A  
Non–Repetitive Peak On–State Current, ITSM  
(Full Sine Wave, TJ = +125°C prior to Surge, with Reapplied VDRMmax)  
t = 20ms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140A  
t = 16.7ms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150A  
I2t for Fusing (t = 10ms), I2t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98A2sec  
Repetitive Rate–of–Rise of On–State Current after Triggering, dIT/dt  
(ITM = 20A, IG = 0.2A, dIG/dt = 0.2A/µs)  
MT2 (+), G (+) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A/µs  
MT2 (+), G (–) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A/µs  
MT2 (–), G (–) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A/µs  
MT2 (–), G (+) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A/µs  
Peak Gate Current, IGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A  
Peak Gate Voltage, VGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V  
Peak Gate Power, PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5W  
Average Gate Power (Over Any 20ms Period), PG(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mW  
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +125°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Heatsink (Full or Half Cycle), RthJHS  
With Heatsink Compound . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.0K/W  
Without Heatsink Compound . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.5K/W  
Typical Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55K/W  
Note 1. Although not recommended, off–state voltages up to 800V may be applied without damage,  
but the TRIAC may switch to the on–state. The rate–of–rise of current should not exceed  
15A/µs.  

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