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NTE5635 PDF预览

NTE5635

更新时间： 2024-11-26 04:35:59
品牌 Logo 应用领域
NTE 栅极触发装置三端双向交流开关局域网
页数 文件大小 规格书
2页 23K
描述
TRIAC - 10 Amp

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NTE5635 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：SFM
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：2.12Is Samacsys：N
外壳连接：MAIN TERMINAL 2配置：SINGLE
最大直流栅极触发电流：50 mA最大直流栅极触发电压：2.5 V
最大维持电流：50 mAJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：10 A
断态重复峰值电压：400 V子类别：TRIACs
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE触发设备类型：4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
Base Number Matches：1

NTE5635 数据手册

 浏览型号NTE5635的Datasheet PDF文件第2页 
NTE5631 thru NTE5637  
TRIAC – 10 Amp  
Description:  
The NTE5631 through NTE5637 series of TRIACs are high performance glass passivated PNPN  
devices in a TO220 type package designed for general purpose applications where moderate gate  
sensitivity is required.  
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Repetitive Peak Off–State Voltage (TJ = –40° to +125°C, RGK = 1kΩ), VDRM  
NTE5631 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V  
NTE5632 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V  
NTE5633 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V  
NTE5634 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V  
NTE5635 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V  
NTE5636 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V  
NTE5637 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V  
On–State Current (All Conduction Angles, TC = +85°C), IT(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A  
Non–Repetitive On–State Current (Half Cycle), ITSM  
60Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110A  
50Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100A  
Fusing Current (t = 10ms), I2t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A2s  
Peak Gate Current (t = 10µs Max), IGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A  
Peak Gate Dissipation (t = 10µs Max), PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10W  
Gate Dissipation (t = 20ms Max), PG(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +125°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +125°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5K/W  
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60K/W  
Lead Temperature (During Soldering, 1.6mm from case, 10sec max), TL . . . . . . . . . . . . . . . +250°C  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
–
Typ Max Unit  
Off–State Leakage Current  
I
V = V  
, R = 1kΩ, T = +25°C  
–
–
–
–
–
10  
2
µA  
mA  
V
DRM  
D
DRM  
GK  
J
V = V  
, R = 1kΩ, T = +125°C  
–
D
DRM  
GK  
J
On–State Voltage  
V
T
I = 15A, T = +25°C  
–
1.75  
1.05  
52  
T
J
On–State Threshold Voltage  
On–State Slope Resistance  
V
T(TO)  
T = +125°C  
J
–
V
r
T = +125°C  
J
–
mΩ  
T
12

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NTE5635 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
Q4010R5TP LITTELFUSE

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NTE565 NTE

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 		Voltage Multiplier Diode, Silicon,

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