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NTE56065

更新时间： 2024-11-26 07:14:27

品牌	Logo	应用领域
NTE		三端双向交流开关
页数	文件大小	规格书
2页	24K
描述
TRIAC, 600VRM, 12A, High Commutation

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NTE56065 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	2.16	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	50 mA
最大直流栅极触发电压：	1.5 V	最大维持电流：	60 mA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	最大漏电流：	0.5 mA
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	12 A	断态重复峰值电压：	600 V
子类别：	TRIACs	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
触发设备类型：	SNUBBERLESS TRIAC	Base Number Matches：	1

NTE56065 数据手册

NTE56065

TRIAC, 600V_RM, 12A,

High Commutation

Description:

The NTE56065 is a glass passivated, high commutation TRIAC in an isolated full–pack type package

designed for use in circuits where high static and dynamic dV/dt and high dI/dt can occur. This device

will commutate the full rated RMS current at the maximum rated junction temperature, without the aid

of a snubber.

Absolute Maximum Ratings:

Repetitive Peak Off–Sate Voltage (Note 1), V_DRM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

RMS On–State Current (Full Sine Wave, T_HS≤ 56°C), I_T(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12A

Non–Repetitive Peak On–State Current, I_TSM

(Full Sine Wave, T_J= +25°C prior to Surge)

t = 20ms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95A

t = 16.7ms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105A

I²t for Fusing (t = 10ms), I²t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45A²sec

Repetitive Rate–of–Rise of On–State Current after Triggering, dI_T/dt

(I_TM= 20A, I_G= 0.2A, dI_G/dt = 0.2A/µs) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100A/µs

Peak Gate Current, I_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A

Peak Gate Voltage, V_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Peak Gate Power, P_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5W

Average Gate Power (Over Any 20ms Period), P_G(AV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mW

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +125°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Heatsink (Full or Half Cycle), R_thJHS

With Heatsink Compound . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.0K/W

Without Heatsink Compound . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.5K/W

Typical Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55K/W

Note 1. Although not recommended, off–state voltages up to 800V may be applied without damage,

but the TRIAC may switch to the on–state. The rate–of–rise of current should not exceed

15A/µs.

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