NTE56067

更新时间： 2024-11-26 07:14:27

品牌	Logo	应用领域
NTE		栅极触发装置可控硅三端双向交流开关局域网
页数	文件大小	规格书
2页	23K
描述
TRIAC, 16A, High Commutation

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NTE56067 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SFM
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	2.16	Is Samacsys：	N
外壳连接：	MAIN TERMINAL 2	配置：	SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：	1000 V/us	最大直流栅极触发电流：	50 mA
最大直流栅极触发电压：	1.5 V	最大维持电流：	60 mA
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
最大漏电流：	0.5 mA	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	16 A
断态重复峰值电压：	800 V	子类别：	TRIACs
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	触发设备类型：	SNUBBERLESS TRIAC
Base Number Matches：	1

NTE56067 数据手册

NTE56066 & NTE56067

TRIAC, 16A, High Commutation

Description:

The NTE56066 and NTE56067 are glass passivated, high commutation TRIACs in a TO220 type

package designed for use in circuits where static and dynamic dV/dt and high dI/dt can occur. These

devices will commutate the full rated RMS current at the maximum rated junction temperature, without

the aid of a snubber.

Absolute Maximum Ratings:

Repetitive Peak Off–Sate Voltage (Note 1), V_DRM

NTE56066 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

NTE56067 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V

RMS On–State Current (Full Sine Wave, T_MB≤ 99°C), I_T(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16A

Non–Repetitive Peak On–State Current, I_TSM

(Full Sine Wave, T_J= +25°C prior to Surge)

t = 20ms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140A

t = 16.7ms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150A

I²t for Fusing (t = 10ms), I²t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98A²sec

Repetitive Rate–of–Rise of On–State Current after Triggering, dI_T/dt

(I_TM= 20A, I_G= 0.2A, dI_G/dt = 0.2A/µs) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100A/µs

Peak Gate Current, I_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A

Peak Gate Voltage, V_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Peak Gate Power, P_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5W

Average Gate Power (Over Any 20ms Period), P_G(AV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mW

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +125°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Mounting Base, R_thJMB

Full Cycle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2K/W

Half Cycle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.7K/W

Typical Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60K/W

Note 1. Although not recommended, off–state voltages up to 800V may be applied without damage,

but the TRIAC may switch to the on–state. The rate–of–rise of current should not exceed

15A/µs.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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