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NTE5620

更新时间： 2024-09-15 07:14:27
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NTE 栅极触发装置三端双向交流开关局域网
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3页 24K
描述
TRIAC 800VRM, 8A, TO220 Full Pack

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NTE5620 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：SFM
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：2.15外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：75 mA
最大直流栅极触发电压：2 V最大维持电流：50 mA
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：8 A断态重复峰值电压：800 V
子类别：TRIACs表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
触发设备类型：4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIACBase Number Matches：1

NTE5620 数据手册

 浏览型号NTE5620的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NTE5620的Datasheet PDF文件第3页 
NTE5620  
TRIAC  
800VRM, 8A, TO220 Full Pack  
The NTE5620 TRIAC is designed primarily for full–wave AC control applications, such as light dim-  
mers, heater controls, motor controls, and power supplies; or wherever full wave silicon gate con-  
trolled solid state devices are needed. TRIAC type thyristors switch from a blocking to a conducting  
state for either polarity of applied voltage with positive or negative gate triggering.  
Features:  
D Blocking Voltage – 800 Volts  
D All Diffused and Glass Passivated Junctions for Greater Parameter Uniformity and Stability  
D Small, Rugged, TO220 Full Pack for Low Thermal Resistance, High Heat Dissipation, and Durability  
D Gate Triggering Guaranteed in Four Modes  
Absolute Maximum Ratings:  
Peak Repetitive Off–State Voltage, VDRM  
(TJ = –40° to +125°C, 1/2 Sine Wave 50 to 60HZ, Gate Open, Note 1) . . . . . . . . . . . . . 800V  
On–State Current RMS, IT(RMS)  
(TC = +80°C, Full Cycle Sine Wave 50 to 60HZ, Note 2 ) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8A  
Peak Non–Repetitive Surge Current, ITSM  
(One Full Cycle, 60Hz, TC = +125°C, Preceded and followed by rated current) . . . . . . 100A  
Peak Gate Power (TC = +80°C, Pulse Width = 2µs), PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16W  
Average Gate Power (TC = +80°C, t = 8.3ms), PG(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350mW  
Peak Gate Current (Pulse Width = 2µs), IGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A  
RMS Isolation Voltage (TA = +25°C, Relative Humidity ≤ 20%), V(ISO) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1500V  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +125°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2°C/W  
Typical Thermal Resistance, Case–to–Sink, RthCS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2°C/W  
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60°C/W  
Note 1. Ratings apply for open gate conditions. Thyristor devices shall not be tested with a  
constant current source for blocking capability such that the voltage applied exceeds the  
rated blocking voltage.  
Note 2. The case temperature reference point for all TC measurements is a point on the center  
lead of the package as close as possible to the plastic body.  
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