NTE5673

更新时间： 2024-09-16 04:35:59

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NTE		栅极触发装置三端双向交流开关
页数	文件大小	规格书
2页	22K
描述
TRIAC - 15 Amp

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NTE5673 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	2.16
外壳连接：	MAIN TERMINAL 2	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	80 mA	最大直流栅极触发电压：	2.5 V
最大维持电流：	60 mA	JEDEC-95代码：	TO-48
JESD-30 代码：	O-MUPM-D2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	15 A
断态重复峰值电压：	200 V	子类别：	TRIACs
表面贴装：	NO	端子形式：	SOLDER LUG
端子位置：	UPPER	触发设备类型：	4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
Base Number Matches：	1

NTE5673 数据手册

NTE5368 & NTE5369

Silicon Controlled Rectifier (SCR)

125 Amp

Absolute Maximum Ratings: (T_J= +125°C unless otherwise specified)

Repetitive Peak Voltages, V_RRM, V_DRM, V_DSM

NTE5368 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

NTE5369 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V

Non–Repetitive Peak Reverse Blocking Voltage, V_RSM

NTE5368 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V

NTE5369 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1300V

Average On–State Current (Half Sine Wave, T_C= +85°C), I_T(AV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75A

RMS On–State Current, I_T(RMS). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175A

Continuous On–State Current, I_T. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175A

Peak One–Cycle Surge (10ms duration, 60% V_RRMre–applied), I_{TSM (1)}. . . . . . . . . . . . . . . . 1500A

Non–Repetitive On–State Current (10ms duration, V_R≤ 10V), I_{TSM (2)}. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1650A

Maximum Permissible Surge Energy (V_R≤ 10V), I²t

10ms duration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13600A²s

3ms duration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10000A²s

Peak Forward Gate Current (Anode positive with respect to cathode), I_FGM. . . . . . . . . . . . . . . . 14A

Peak Forward Gate Voltage (Anode positive with respect to cathode), V_FGM. . . . . . . . . . . . . . . 20V

Peak Reverse Gate Voltage, V_RGM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Average Gate Power, P_G. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5W

Peak Gate Power (100µs pulse width), P_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60W

Rate of Rise of Off–State Voltage (To 80% V_DRMgate open–circuit), dv/dt . . . . . . . . . . . . . 200V/µs

Rate of Rise of On–State Current, di/dt

(Gate drive 20V, 20Ω with t_r≤ 1µs, anode voltage ≤ 80% V_DRM

)

Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500A/µs

Non–Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000A/µs

Operating Temperature Range, T_hs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +125°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC

(For a device with a maximum forward voltage drop characteristic) . . . . . . . . . . . . 0.23°C/W

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NTE5673 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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