NTE5640

更新时间： 2024-11-26 07:14:31

品牌	Logo	应用领域
NTE		栅极触发装置三端双向交流开关
页数	文件大小	规格书
2页	24K
描述
TRIAC, 2.5A

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NTE5640 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	2.16
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	40 mA	最大直流栅极触发电压：	2.2 V
最大维持电流：	35 mA	JEDEC-95代码：	TO-5
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	2.5 A
断态重复峰值电压：	100 V	子类别：	TRIACs
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	触发设备类型：	4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
Base Number Matches：	1

NTE5640 数据手册

NTE5640 thru NTE5643

TRIAC, 2.5A

Absolute Maximum Ratings:

Repetitive Peak Off–State Voltage (Gate Open, T_J= +100°C, Note 1), V_DROM

NTE5640 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V

NTE5641 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V

NTE5642 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

NTE5643 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

RMS On–State Current (T_C= +75°C, Conduction Angle of 360°), I_T(RMS). . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5A

Peak Surge (Non–Repetitive) On–State Current (One Cycle, at 50Hz or 60Hz), I_TSM. . . . . . . . 30A

Peak Gate–Trigger Current (3µs Max), I_GTM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A

Peak Gate–Power Dissipation (I_GT≤ I_GTMfor 3µs Max), P_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20W

Average Gate–Power Dissipation, P_G(AV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mW

Fusing Current (For TRIAC Protection, T = 1.25 to 10ms), I²t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3A²s

Operating Temperature Range, T_opr. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +100°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C

Typical Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4°C/W

Note 1. All values apply in either direction.

Electrical Characteristics: (At Maximum Ratings and T_C= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

Peak Off–State Current

= Max Rating, T = +100°C,

–

0.75 mA

DROM

Gate Open, Note 1

Maximum On–State Voltage

DC Holding Current

i = 5A (Peak), Note 1

–

2.2

–

Gate Open

V/µs

Critical Rate–of–Rise of Off–State Voltage Critical v = V

, T = +100°C, Note 1

DROM C

dv/dt

DC Gate–Trigger Current

DC Gate–Trigger Voltage

Gate–Controlled Turn–On Time

v = 6V, R = 39Ω, All Quads

–

2.2

–

v = 6V, R = 39Ω

D L

v = V

, I = 80mA, t = 0.1µs,

2.2

µs

DROM GT

i = 10A (Peak)

中文翻译

下载PDF

与NTE5640相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE5641	ETC	获取价格
NTE5642	ETC	获取价格
NTE5643	NTE	获取价格	TRIAC, 2.5A
NTE5645	NTE	获取价格	TRIAC - 10A Isolated Tab
NTE5646	NTE	获取价格	TRIAC - Internally Triggered
NTE565	NTE	获取价格	Voltage Multiplier Diode, Silicon,
NTE5650	NTE	获取价格	TRIAC - 100VRM, 2.5A
NTE5651	ETC	获取价格	TRIAC\|200V V(DRM)\|2.5A I(T)RMS\|TO-5
NTE5652	ETC	获取价格	TRIAC\|400V V(DRM)\|2.5A I(T)RMS\|TO-5
NTE5653	NTE	获取价格	TRIAC - 100VRM, 2.5A

与NTE5640相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

45
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

34
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

62
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

59

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NTE5640

NTE5640 技术参数

NTE5640 数据手册

与NTE5640相关器件

与NTE5640相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NTE5640

NTE5640 技术参数

NTE5640 数据手册

与NTE5640相关器件

与NTE5640相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？