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NTE5657

更新时间： 2024-10-30 07:14:31
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NTE 栅极触发装置三端双向交流开关
页数 文件大小 规格书
2页 22K
描述
TRIAC - 800mA Sensitive Gate

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NTE5657 技术参数

生命周期：Active包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：2.15Is Samacsys：N
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：5 mA
最大直流栅极触发电压：2 V最大维持电流：20 mA
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-W3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：0.8 A断态重复峰值电压：600 V
子类别：TRIACs表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
触发设备类型：4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIACBase Number Matches：1

NTE5657 数据手册

 浏览型号NTE5657的Datasheet PDF文件第2页 
NTE5655 thru NTE5657  
TRIAC – 800mA  
Sensitive Gate  
Description:  
The NTE5655 through NTE5657 are 800mA sensitive gate TRIACs in a TO92 type package designed  
to be driven directly with IC and MOS devices. These TRIACs feature void–free glass passivated  
chips.  
These NTE devices are bi–directional triode thyristors and may be switched from off–state to conduc-  
tion for either polarity of applied voltage with positive or negative gate trigger current. They are de-  
signed for control applications in lighting, heating, cooling and static switching relays.  
Absolute Maximum Ratings:  
Repetitive Peak Off–State Voltage (Gate Open, TJ = +100°C), VDRM  
NTE5655 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V  
NTE5656 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V  
NTE5657 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V  
RMS On–State Current (TC = +75°C, Conduction Angle of 360°C), ITRMS . . . . . . . . . . . . . . . 800mA  
Peak Surge (Non–Repetitive) On–State Current (One Cycle, 50Hz or 60Hz), ITSM . . . . . . . . . . . 8A  
Peak Gate–Trigger Current (3µs Max), IGTM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA  
Peak Gate–Power Dissipation (IGT ≤ IGTM for 3µs Max), PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20W  
Average Gate–Power Dissipation, PG(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mW  
Operating Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +100°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C  
Typical Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75°C/W  
Electrical Characteristics: (TC = +25°C, Maximum Ratings unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
Peak Off–State Current  
I
V
J
= Max Rating, Gate Open,  
–
0.75  
–
mA  
DRM  
DRM  
T = +100°C  
Max. On–State Voltage  
V
i = 800mA (Peak)  
–
–
–
–
–
1.9  
15  
–
V
TM  
T
DC Holding Current  
I
Gate Open  
mA  
V/µs  
H
Critical Rate–of–Rise of Off–State Voltage  
Critical V = V  
dv/dt  
, Gate Open, T = +100°C  
DRM  
10  
D
C
12

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NTE5657 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTE5655 NTE

完全替代

 TRIAC - 800mA Sensitive Gate
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