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NTE5677 PDF预览

NTE5677

更新时间: 2024-10-30 04:35:59
品牌 Logo 应用领域
NTE 三端双向交流开关
页数 文件大小 规格书
2页 22K
描述
TRIAC - 15 Amp

NTE5677 数据手册

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NTE5368 & NTE5369  
Silicon Controlled Rectifier (SCR)  
125 Amp  
Absolute Maximum Ratings: (TJ = +125°C unless otherwise specified)  
Repetitive Peak Voltages, VRRM, VDRM, VDSM  
NTE5368 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V  
NTE5369 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V  
Non–Repetitive Peak Reverse Blocking Voltage, VRSM  
NTE5368 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V  
NTE5369 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1300V  
Average On–State Current (Half Sine Wave, TC = +85°C), IT(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75A  
RMS On–State Current, IT(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175A  
Continuous On–State Current, IT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175A  
Peak One–Cycle Surge (10ms duration, 60% VRRM re–applied), ITSM (1) . . . . . . . . . . . . . . . . 1500A  
Non–Repetitive On–State Current (10ms duration, VR 10V), ITSM (2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1650A  
Maximum Permissible Surge Energy (VR 10V), I2t  
10ms duration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13600A2s  
3ms duration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10000A2s  
Peak Forward Gate Current (Anode positive with respect to cathode), IFGM . . . . . . . . . . . . . . . . 14A  
Peak Forward Gate Voltage (Anode positive with respect to cathode), VFGM . . . . . . . . . . . . . . . 20V  
Peak Reverse Gate Voltage, VRGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V  
Average Gate Power, PG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5W  
Peak Gate Power (100µs pulse width), PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60W  
Rate of Rise of Off–State Voltage (To 80% VDRM gate open–circuit), dv/dt . . . . . . . . . . . . . 200V/µs  
Rate of Rise of On–State Current, di/dt  
(Gate drive 20V, 20with tr 1µs, anode voltage 80% VDRM  
)
Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500A/µs  
Non–Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000A/µs  
Operating Temperature Range, Ths . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +125°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC  
(For a device with a maximum forward voltage drop characteristic) . . . . . . . . . . . . 0.23°C/W  

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