NTE5368 & NTE5369
Silicon Controlled Rectifier (SCR)
125 Amp
Absolute Maximum Ratings: (TJ = +125°C unless otherwise specified)
Repetitive Peak Voltages, VRRM, VDRM, VDSM
NTE5368 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
NTE5369 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V
Non–Repetitive Peak Reverse Blocking Voltage, VRSM
NTE5368 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V
NTE5369 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1300V
Average On–State Current (Half Sine Wave, TC = +85°C), IT(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75A
RMS On–State Current, IT(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175A
Continuous On–State Current, IT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175A
Peak One–Cycle Surge (10ms duration, 60% VRRM re–applied), ITSM (1) . . . . . . . . . . . . . . . . 1500A
Non–Repetitive On–State Current (10ms duration, VR ≤ 10V), ITSM (2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1650A
Maximum Permissible Surge Energy (VR ≤ 10V), I2t
10ms duration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13600A2s
3ms duration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10000A2s
Peak Forward Gate Current (Anode positive with respect to cathode), IFGM . . . . . . . . . . . . . . . . 14A
Peak Forward Gate Voltage (Anode positive with respect to cathode), VFGM . . . . . . . . . . . . . . . 20V
Peak Reverse Gate Voltage, VRGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Average Gate Power, PG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5W
Peak Gate Power (100µs pulse width), PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60W
Rate of Rise of Off–State Voltage (To 80% VDRM gate open–circuit), dv/dt . . . . . . . . . . . . . 200V/µs
Rate of Rise of On–State Current, di/dt
(Gate drive 20V, 20Ω with tr ≤ 1µs, anode voltage ≤ 80% VDRM
)
Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500A/µs
Non–Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000A/µs
Operating Temperature Range, Ths . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +125°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC
(For a device with a maximum forward voltage drop characteristic) . . . . . . . . . . . . 0.23°C/W