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NTE5652

更新时间： 2024-11-25 23:54:59

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其他 - ETC		三端双向交流开关
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描述
TRIAC\|400V V(DRM)\|2.5A I(T)RMS\|TO-5

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NTE5652 数据手册

NTE5650 thru NTE5653

TRIAC – 100V_RM, 2.5A

Description:

The NTE5650 through NTE5653 sensitive gate TRIACs are designed to be driven directly with IC and

MOS devices. These devices features a void–free glass passivated chip and are hermetically sealed

in TO–5 outline cans.

The NTE5650 through NTE5653 are bi–directional triode thyristors and may be switched from off–

state to conduction for either polarity of applied voltage with positive or negative gate–trigger current

and are designed for control applications in lighting, heating, cooling and static switching relays.

Absolute Maximum Ratings:

Repetitive Peak Off–State Voltage (T_J= +90°C, Gate Open, Note 1), V_DROM

NTE5650 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V

NTE5651 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V

NTE5652 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

NTE5653 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

RMS On–State Current (T_C= +75°C and Conduction Angle of 360°), I_T(RMS). . . . . . . . . . . . . . . 3A

Peak Surge (Non–Repetitive) On–State Current (One–Cycleat 50Hz or 60Hz), I_TSM. . . . . . . . 30A

Peak Gate–Trigger Current (3µsec, Max.), I_GTM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A

Peak Gate–Power Dissipation (I_GT≤ I_GTMfor 3µsec. Max.), P_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20W

Average Gate–Power Dissipation, P_G(AV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.2W

Operating Temperature Range (T_C), T_opr. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +90°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C

Typical Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4°C/W

Note 1. All values apply in either direction.

Electrical Characteristics: (At Maximum Ratings & Specified Case Temperature)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

Peak Off–State Current

T = +90°C, V = Max Rating,

–

0.75 mA

DROM

Gate Open, Note 1

Maximum On–State Voltage

DC Holding Current

T = +25°C, i = 5A (Peak), Note 1

–

1.85

T = +25°C, Gate Open

V/µs

Critical Rate–of–Rise of Off–State

Voltage

Critical T = +90°C, v = V

dv/dt

, Gate Open,

–

DROM

Note 1

DC Gate–Trigger Current

MT (+) Gate (+), MT (–) Gate (–)

T = + 25°C, v = 6V, R = 39Ω

–

MT (+) Gate (–), MT (–) Gate (+)

Note 1. All values apply in either direction.

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