NTE570

更新时间： 2024-11-25 22:30:19

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NTE		瞬态抑制器可控硅二极管
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1页	18K
描述
Silicon Controlled Avalanche Diode

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NTE570 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.26	Is Samacsys：	N
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压：	130 V	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

NTE570 数据手册

NTE570

Silicon Controlled Avalanche Diode

Absolute Maximum Ratings:

Peak Reverse Voltage, V_RM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130V

Allowable Avalanche Current (Square Wave Single Pulse 100µs), I_ZSM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0A

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C

Storage temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Avalanche Voltage

Symbol

Test Conditions

I_Z= 1mA Instantaneous

V_R= 130V

Min Typ Max Unit

V_Z

I_R

135

–

180

–

µA

Reverse Current

Reverse Current (High Temperature)

Temperature Dependency of V_Z

I_R(H)

V_R= 130V, T_A= +100°C

I_Z= 1mA

–

µA

–

0.15

V/°C

1.070

(27.2)

Min

.291

(7.4)

Max

.032 (0.83) Dia Max

.165 (4.2)

Dia Max

Color Band Denotes Cathode

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