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NTE5645

更新时间： 2024-10-30 07:14:31

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NTE		三端双向交流开关
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TRIAC - 10A Isolated Tab

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NTE5645 数据手册

NTE5645

TRIAC – 10A

Isolated Tab

Description:

The NTE5645 is an 10 Amp TRIAC in a TO220 type package designed to be driven directly with IC

and MOS devices and features proprietary, void–free glass passivated chips.

This device is a bi–directional triode thyristor and may be switched from off–state to conduction for

either polarity of applied voltage with positive or negative gate trigger current. The NTE5645 is de-

signed for control applications in lighting, heating, cooling and static switching relays.

Absolute Maximum Ratings:

Repetitive Peak Off–State Voltage (Gate Open, T_J= +100°C), V_DRM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

RMS On–State Current (T_C= +75°C, Conduction Angle of 180°C), I_T(RMS). . . . . . . . . . . . . . . . . 10A

Peak Surge (Non–Repetitive) On–State Current (One Cycle, 50Hz or 60Hz), I_TSM. . . . . . . . . 100A

Peak Gate–Trigger Current (3µs Max), I_GTM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A

Peak Gate–Power Dissipation (I_GT≤ I_GTMfor 3µs Max), P_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40W

Average Gate–Power Dissipation, P_G(AV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mW

Operating Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +100°C

Typical Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5°C/W

Electrical Characteristics: (T_C= +25°C, Maximum Ratings unless otherwise specified)

Parameter

Peak Off–State Current

Max. On–State Voltage

DC Holding Current

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

= 600V, Gate Open, T = +100°C

–

2.2

–

DRM

I = 14A

Gate Open

V/µs

Critical Rate–of–Rise of Off–State

Voltage

Critical

dv/dt

V = 600V, Gate Open, T = +100°C

D C

DC Gate Trigger Current

V = 12V, R = 30Ω

D L

T (+) Gate (+), T (–) Gate (–)

–

T (+) Gate (–), T (–) Gate (+)

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NTE5645 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NTE5646	NTE	类似代替	TRIAC - Internally Triggered
NTE5637	NTE	类似代替	TRIAC - 10 Amp
BTA10-600BWRG	STMICROELECTRONICS	功能相似	10A TRIACS

与NTE5645相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE5646	NTE	获取价格	TRIAC - Internally Triggered
NTE565	NTE	获取价格	Voltage Multiplier Diode, Silicon,
NTE5650	NTE	获取价格	TRIAC - 100VRM, 2.5A
NTE5651	ETC	获取价格	TRIAC\|200V V(DRM)\|2.5A I(T)RMS\|TO-5
NTE5652	ETC	获取价格	TRIAC\|400V V(DRM)\|2.5A I(T)RMS\|TO-5
NTE5653	NTE	获取价格	TRIAC - 100VRM, 2.5A
NTE5655	NTE	获取价格	TRIAC - 800mA Sensitive Gate
NTE5656	ETC	获取价格
NTE5657	NTE	获取价格	TRIAC - 800mA Sensitive Gate
NTE5661	NTE	获取价格	TRIAC, 10 Amp

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