NTE56060

更新时间： 2024-11-26 07:14:27

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NTE		栅极触发装置可控硅三端双向交流开关局域网
页数	文件大小	规格书
2页	24K
描述
TRIAC, 16A

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NTE56060 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	2.15	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	关态电压最小值的临界上升速率：	100 V/us
最大直流栅极触发电流：	70 mA	最大直流栅极触发电压：	1.5 V
最大维持电流：	30 mA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
最大漏电流：	0.5 mA	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	16 A	断态重复峰值电压：	800 V
子类别：	TRIACs	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
触发设备类型：	4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC	Base Number Matches：	1

NTE56060 数据手册

NTE56058 thru NTE56060

TRIAC, 16A

Description:

The NTE56058 through NTE56060 are glass passivated TRIACs in an isolated full–pack type package

designed for use in applications requiring high bidirectional transient and blocking voltage capability and

high thermal cycling performance. Typical applications include motor control, industrial and domestic

lighting, heating and static switching.

Absolute Maximum Ratings:

Repetitive Peak Off–Sate Voltage, V_DRM

NTE56058 (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V

NTE56059 (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

NTE56060 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V

RMS On–State Current (Full Sine Wave, T_HS≤ 38°C), I_T(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16A

Non–Repetitive Peak On–State Current, I_TSM

(Full Sine Wave, T_J= +125°C prior to Surge, with Reapplied V_DRMmax)

t = 20ms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140A

t = 16.7ms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150A

I²t for Fusing (t = 10ms), I²t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98A²sec

Repetitive Rate–of–Rise of On–State Current after Triggering, dI_T/dt

(I_TM= 20A, I_G= 0.2A, dI_G/dt = 0.2A/µs)

MT₂(+), G (+) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A/µs

MT₂(+), G (–) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A/µs

MT₂(–), G (–) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A/µs

MT₂(–), G (+) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A/µs

Peak Gate Current, I_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A

Peak Gate Voltage, V_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Peak Gate Power, P_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5W

Average Gate Power (Over Any 20ms Period), P_G(AV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mW

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +125°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Heatsink (Full or Half Cycle), R_thJHS

With Heatsink Compound . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.0K/W

Without Heatsink Compound . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.5K/W

Typical Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55K/W

Note 1. Although not recommended, off–state voltages up to 800V may be applied without damage,

but the TRIAC may switch to the on–state. The rate–of–rise of current should not exceed

15A/µs.

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