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NTE56045

更新时间： 2024-11-26 07:14:27

品牌	Logo	应用领域
NTE		可控硅三端双向交流开关栅
页数	文件大小	规格书
2页	24K
描述
TRIAC, 16A, Sensitive Gate

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NTE56045 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	2.14	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	25 mA
最大直流栅极触发电压：	1.5 V	最大维持电流：	30 mA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	最大漏电流：	0.5 mA
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	16 A
断态重复峰值电压：	500 V	子类别：	TRIACs
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	触发设备类型：	4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
Base Number Matches：	1

NTE56045 数据手册

NTE56045 thru NTE56047

TRIAC, 16A, Sensitive Gate

Description:

The NTE56045 through NTE56047 are glass passivated, sensitive gate TRIACs in an isolated full–

pack type package designed for use in general purpose bidirectional switching and phase control

applications, where high sensitivity is required in all four quadrants.

Absolute Maximum Ratings:

Repetitive Peak Off–Sate Voltage, V_DRM

NTE56045 (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V

NTE56046 (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

NTE56047 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V

RMS On–State Current (Full Sine Wave, T_HS≤ 38°C), I_T(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16A

Non–Repetitive Peak On–State Current, I_TSM

(Full Sine Wave, T_J= +125°C prior to Surge, with Reapplied V_DRMmax)

t = 20ms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140A

t = 16.7ms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150A

I²t for Fusing (t = 10ms), I²t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98A²sec

Repetitive Rate–of–Rise of On–State Current after Triggering, dI_T/dt

(I_TM= 20A, I_G= 0.2A, dI_G/dt = 0.2A/µs)

MT₂(+), G (+) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A/µs

MT₂(+), G (–) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A/µs

MT₂(–), G (–) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A/µs

MT₂(–), G (+) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A/µs

Peak Gate Current, I_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A

Peak Gate Voltage, V_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Peak Gate Power, P_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5W

Average Gate Power (Over Any 20ms Period), P_G(AV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mW

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +125°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Heatsink (Full or Half Cycle), R_thJHS

With Heatsink Compound . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.0K/W

Without Heatsink Compound . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.5K/W

Typical Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55K/W

Note 1. Although not recommended, off–state voltages up to 800V may be applied without damage,

but the TRIAC may switch to the on–state. The rate–of–rise of current should not exceed

15A/µs.

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与NTE56045相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE56046	ETC	获取价格
NTE56047	NTE	获取价格	TRIAC, 16A, Sensitive Gate
NTE56049	NTE	获取价格	TRIAC, 4A Low Logic Level
NTE5605	NTE	获取价格	TRIAC, 4 Amp
NTE56050	NTE	获取价格	TRIAC, 4A Low Logic Level
NTE56051	NTE	获取价格	TRIAC, 8A Low Logic Level
NTE56052	NTE	获取价格	TRIAC, 8A Low Logic Level
NTE56058	NTE	获取价格	TRIAC, 16A
NTE56059	ETC	获取价格
NTE5606	NTE	获取价格	TRIAC, 4 Amp

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