NTE56044

更新时间： 2024-11-26 07:14:27

品牌	Logo	应用领域
NTE		栅极触发装置可控硅三端双向交流开关局域网
页数	文件大小	规格书
2页	24K
描述
TRIAC, 16A, Sensitive Gate

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NTE56044 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	2.17	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：	50 V/us	最大直流栅极触发电流：	10 mA
最大直流栅极触发电压：	1.5 V	最大维持电流：	30 mA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	最大漏电流：	0.5 mA
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	16 A	断态重复峰值电压：	800 V
子类别：	TRIACs	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
触发设备类型：	4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC	Base Number Matches：	1

NTE56044 数据手册

NTE56042 thru NTE56044

TRIAC, 16A, Sensitive Gate

Description:

The NTE56042 through NTE56044 are glass passivated, sensitive gate TRIACs in an isolated full–

pack type package designed for use in general purpose bidirectional switching and phase control

applications, where high sensitivity is required in all four quadrants.

Absolute Maximum Ratings:

Repetitive Peak Off–Sate Voltage, V_DRM

NTE56042 (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V

NTE56043 (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

NTE56044 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V

RMS On–State Current (Full Sine Wave, T_HS≤ 38°C), I_T(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16A

Non–Repetitive Peak On–State Current, I_TSM

(Full Sine Wave, T_J= +125°C prior to Surge, with Reapplied V_DRMmax)

t = 20ms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140A

t = 16.7ms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150A

I²t for Fusing (t = 10ms), I²t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98A²sec

Repetitive Rate–of–Rise of On–State Current after Triggering, dI_T/dt

(I_TM= 20A, I_G= 0.2A, dI_G/dt = 0.2A/µs)

MT₂(+), G (+) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A/µs

MT₂(+), G (–) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A/µs

MT₂(–), G (–) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A/µs

MT₂(–), G (+) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A/µs

Peak Gate Current, I_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A

Peak Gate Voltage, V_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Peak Gate Power, P_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5W

Average Gate Power (Over Any 20ms Period), P_G(AV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mW

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +125°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Heatsink (Full or Half Cycle), R_thJHS

With Heatsink Compound . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.0K/W

Without Heatsink Compound . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.5K/W

Typical Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55K/W

Note 1. Although not recommended, off–state voltages up to 800V may be applied without damage,

but the TRIAC may switch to the on–state. The rate–of–rise of current should not exceed

15A/µs.

中文翻译

下载PDF

与NTE56044相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE56045	NTE	获取价格	TRIAC, 16A, Sensitive Gate
NTE56046	ETC	获取价格
NTE56047	NTE	获取价格	TRIAC, 16A, Sensitive Gate
NTE56049	NTE	获取价格	TRIAC, 4A Low Logic Level
NTE5605	NTE	获取价格	TRIAC, 4 Amp
NTE56050	NTE	获取价格	TRIAC, 4A Low Logic Level
NTE56051	NTE	获取价格	TRIAC, 8A Low Logic Level
NTE56052	NTE	获取价格	TRIAC, 8A Low Logic Level
NTE56058	NTE	获取价格	TRIAC, 16A
NTE56059	ETC	获取价格

与NTE56044相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

44
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

33
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

61
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

58

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NTE56044

NTE56044 技术参数

NTE56044 数据手册

与NTE56044相关器件

与NTE56044相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NTE56044

NTE56044 技术参数

NTE56044 数据手册

与NTE56044相关器件

与NTE56044相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？