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NTE56030 PDF预览

NTE56030

更新时间： 2024-09-25 22:30:19
品牌 Logo 应用领域
NTE 栅极触发装置可控硅三端双向交流开关局域网
页数 文件大小 规格书
2页 23K
描述
TRIAC, 40 Amp Isolated Tab

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NTE56030 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-218包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：2.31
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：150 mA
最大直流栅极触发电压：2.5 V最大维持电流：100 mA
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：40 A断态重复峰值电压：400 V
子类别：TRIACs表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
Base Number Matches：1

NTE56030 数据手册

 浏览型号NTE56030的Datasheet PDF文件第2页 
NTE56030 & NTE56031  
TRIAC, 40 Amp  
Isolated Tab  
Description:  
The NTE56030 and NTE56031 are 40 Amp TRIACs in a TO218 type package with an isolated tab  
designed to be driven directly with IC and MOS devices.  
Absolute Maximum Ratings:  
Peak Repetitive Off–State Voltage (Gate Open, TJ = +110°C, Note 1), VDRM  
NTE56030 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V  
NTE56031 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V  
RMS On–State Current (TC = +80°C, 360° Conduction Angle), IT(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40A  
Peak Non–Repetitive Surge Current (One Cycle, at 50Hz or 60Hz), ITSM . . . . . . . . . . . . . . . . . 400A  
Peak Gate–Trigger Current (t = 3µs), IGTM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A  
Peak Gate–Power Dissipation (IGT ≤ IGTM), PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40W  
Average Gate–Power Dissipation, PG(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800mW  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +110°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C  
Typical Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC(DC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.95°C/W  
Note 1. All values apply in either direction.  
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
Peak Off–State Current  
I
T = +110°C, V = V , Gate Open, Note  
–
–
0.5  
mA  
DRM  
J
D
DRM  
1
Gate Trigger Current  
Quadrant I, II, III  
I
V = 12V, R = 30Ω  
T2 (+) G (+), T2 (–) G (–) Quads I and III  
T2 (+) G (–), T2 (–) G (+) Quads II and IV  
GT  
D
L
–
–
–
–
–
–
100 mA  
150 mA  
Quadrant IV  
Gate Trigger Voltage  
Gate Non–Trigger Voltage  
V
V = 12V, R = 30Ω  
–
2.5  
–
V
V
GT  
D
L
V
V = V  
, T = +110°C, R = 3k,  
0.2  
GD  
D
DRM  
J
L
Pulse Duration > 20µs, Note 1  
Holding Current  
I
Gate Open, Note 1  
–
–
–
–
100 mA  
1.8  
H
Peak On–State Voltage  
V
TM  
I = 40A, Note 1  
T
V
Note 1. All values apply in either direction.  
12

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