NTE56004

更新时间： 2024-11-25 22:30:19

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NTE		栅极触发装置可控硅三端双向交流开关局域网
页数	文件大小	规格书
2页	23K
描述
TRIAC, 15 Amp

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NTE56004 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SFM
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	2.09
Is Samacsys：	N	外壳连接：	MAIN TERMINAL 2
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	75 mA
最大直流栅极触发电压：	2.5 V	最大维持电流：	40 mA
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	15 A	断态重复峰值电压：	200 V
子类别：	TRIACs	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
触发设备类型：	4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC	Base Number Matches：	1

NTE56004 数据手册

NTE56004 thru NTE56010

TRIAC, 15 Amp

The NTE56004 thru NTE56010 series of TRIACs are designed primarily for full–wave AC control ap-

plications, such as solid–state relays, motor controls, heating controls and power supplies; or wherev-

er full–wave silicon gate controlled solid–state devices are needed. TRIAC type thyristors switch from

a blocking to a conducting state for either polarity of applied anode voltage with positive or negative

gate triggering.

Features:

D Blocking Voltage from 200 to 800 Volts

D All Diffused and Glass Passivated Junctions

D Small, Rugged, TO220 package for Low Thermal Resistance, High Heat Dissipation and Durability

D Gate Triggering specified in Four Quadrants

Absolute Maximum Ratings:

Peak Repetitive Off–State Voltage, (T_J= –40° to 125°C), V_DRM

NTE56004 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V

NTE56006 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

NTE56008 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

NTE56010 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V

Peak Gate Voltage, V_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10V

On–State Current RMS (Full Cycle Sine Wave 50 to 60Hz,T_C= +90°C), I_T(RMS). . . . . . . . . . . 15A

Circuit Fusing (t = 8.3ms) I²t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93A²s

Peak Surge Current (One Full Cycle, 60Hz, T_C= +80°C), I_TSM

Preceded and followed by rated current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150A

Peak Gate Power (T_C= +80°C, Pulse Width = 2µs), P_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20W

Average Gate Power (T_C= +80°C, t = 8.3ms), P_G(AV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mW

Peak Gate Current, I_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +125°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2°C/W

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