NTE56

更新时间： 2024-09-15 07:14:23

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NTE		晶体开关晶体管功率双极晶体管局域网
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描述
Silicon NPN Transistor High Gain Switch and Pass Regulator

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NTE56 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SFM
包装说明：	TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	1.69	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	500	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	30 W
最大功率耗散 (Abs)：	30 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	15 MHz	Base Number Matches：	1

NTE56 数据手册

NTE56

Silicon NPN Transistor

High Gain Switch and Pass Regulator

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V

Collector–Base Voltage, V_CB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V

Emitter–Base Voltage, V_EB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V

Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3A

Base Current, I_B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A

Total Power Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30W

Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Electrical Characteristics: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

Symbol

I_CBO

Test Conditions

V_CB= 100V

V_EB= 6V

Min Typ Max Unit

–

µA

I_EBO

100 µA

Collector–Emitter Breakdown Voltage V_(BR)CEOI_C= 25mA

500

–

DC Current Gain

h_FE

V_CE(sat)I_C= 2A, I_B= 50mA

f_TV_CE= 12V, I_E= –0.2A

V_CE= 4V, I_C= 0.5A

–

Collector–Emitter Saturation Voltage

Current Gain–Bandwidth Product

–

0.5

–

MHz

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