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NTE56

更新时间： 2024-11-26 07:14:23
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NTE 晶体开关晶体管功率双极晶体管局域网
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2页 22K
描述
Silicon NPN Transistor High Gain Switch and Pass Regulator

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NTE56 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：SFM
包装说明：TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：1.69Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：500JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：30 W
最大功率耗散 (Abs)：30 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：15 MHzBase Number Matches：1

NTE56 数据手册

 浏览型号NTE56的Datasheet PDF文件第2页 
NTE56  
Silicon NPN Transistor  
High Gain Switch and Pass Regulator  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V  
Collector–Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V  
Emitter–Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V  
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3A  
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A  
Total Power Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30W  
Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Collector Cutoff Current  
Emitter Cutoff Current  
Symbol  
ICBO  
Test Conditions  
VCB = 100V  
VEB = 6V  
Min Typ Max Unit  
–
–
–
–
10  
µA  
IEBO  
100 µA  
Collector–Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO IC = 25mA  
80  
500  
–
–
–
–
V
DC Current Gain  
hFE  
VCE(sat) IC = 2A, IB = 50mA  
fT VCE = 12V, IE = –0.2A  
VCE = 4V, IC = 0.5A  
–
Collector–Emitter Saturation Voltage  
Current Gain–Bandwidth Product  
–
0.5  
–
V
–
15  
MHz  
12

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