NTE56039

更新时间： 2024-11-28 07:14:23

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NTE		栅极触发装置三端双向交流开关
页数	文件大小	规格书
2页	23K
描述
TRIAC, 4A Sensitive Gate

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NTE56039 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	2.15	外壳连接：	MAIN TERMINAL 2
配置：	SINGLE	关态电压最小值的临界上升速率：	50 V/us
最大直流栅极触发电流：	10 mA	最大直流栅极触发电压：	1.5 V
最大维持电流：	15 mA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
最大漏电流：	0.5 mA	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	4 A
断态重复峰值电压：	500 V	子类别：	TRIACs
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	触发设备类型：	4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
Base Number Matches：	1

NTE56039 数据手册

NTE56039

TRIAC, 4A Sensitive Gate

Description:

The NTE56039 is a glass passivated TRIAC in a plastic SOT89 type package designed for use in general

purpose bidirectional switching and phase control applications, where high sensitivity is required in all four

quadrants.

Absolute Maximum Ratings:

Repetitive Peak Off–Sate Voltage (Note 1), V_DRM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V

RMS On–State Current (Full Sine Wave, T_MB≤ 107°C), I_T(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A

Non–Repetitive Peak On–State Current (Full Sine Wave, T_J= +25°C prior to Surge), I_TSM

t = 20ms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25A

t = 16.7ms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27A

I²t for Fusing (t = 10ms), I²t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.1A²sec

Repetitive Rate–of–Rise of On–State Current after Triggering, dI_T/dt

(I_TM= 6A, I_G= 0.2A, dI_G/dt = 0.2A/µs)

MT₂(+), G (+) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A/µs

MT₂(+), G (–) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A/µs

MT₂(–), G (–) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A/µs

MT₂(–), G (+) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A/µs

Peak Gate Current, I_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A

Peak Gate Voltage, V_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Peak Gate Power, P_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5W

Average Gate Power (Over Any 20ms Period), P_G(AV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mW

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +125°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Mounting Base, R_thJMB

Full Cycle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.0K/W

Half Cycle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.7K/W

Typical Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100K/W

Note 1. Although not recommended, off–state voltages up to 800V may be applied without damage,

but the TRIAC may switch to the On–State. The rate–of–rise of current should not exceed

3A/µs.

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