NTE5590

更新时间： 2024-11-26 07:14:23

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NTE		栅极触发装置可控硅整流器
页数	文件大小	规格书
2页	25K
描述
Silicon Controlled Rectifier (SCR) 470 Amp

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NTE5590 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	DISK BUTTON, O-CEDB-X4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	2.13
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	150 mA	最大直流栅极触发电压：	3 V
JESD-30 代码：	O-CEDB-X4	通态非重复峰值电流：	5500 A
元件数量：	1	端子数量：	4
最大通态电流：	470000 A	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	780 A
断态重复峰值电压：	200 V	重复峰值反向电压：	200 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	YES
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	END
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

NTE5590 数据手册

NTE5590, NTE5591, NTE5592, NTE5597

Silicon Controlled Rectifier (SCR)

470 Amp

Absolute Maximum Ratings: (T_J= +125°C unless otherwise specified)

Repetitive Peak Voltages, V_RRM, V_DRM, V_DSM

NTE5590 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V

NTE5591 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

NTE5592 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V

NTE5597 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V

Non–Repetitive Peak Reverse Blocking Voltage, V_RSM

NTE5590 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V

NTE5591 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V

NTE5592 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1300V

NTE5597 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1700V

Average On–State Current (Half Sine Wave), I_T(AV)

T_hs= +55°C (Double Side Cooled) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 470A

T_hs= +85°C (Single Side Cooled) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160A

RMS On–State Current (T_hs= +25°C, Double Side Cooled), I_T(RMS). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 780A

Continuous On–State Current (T_hs= +25°C, Double Side Cooled), I_T. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 668A

Peak One–Cycle Surge (10ms duration, 60% V_RRMre–applied), I_{TSM (1)}. . . . . . . . . . . . . . . . . 4650A

Non–Repetitive On–State Current (10ms duration, V_R≤ 10V), I_{TSM (2)}. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5120A

Maximum Permissible Surge Energy (V_R≤ 10V), I²t

10ms duration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131000A²s

3ms duration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97350A²s

Peak Forward Gate Current (Anode positive with respect to cathode), I_FGM. . . . . . . . . . . . . . . . 19A

Peak Forward Gate Voltage (Anode positive with respect to cathode), V_FGM. . . . . . . . . . . . . . . 18V

Peak Reverse Gate Voltage, V_RGM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Average Gate Power, P_G. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W

Peak Gate Power (100µs pulse width), P_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100W

Rate of Rise of Off–State Voltage (To 80% V_DRMgate open–circuit), dv/dt . . . . . . . . . . . . . 200V/µs

Rate of Rise of On–State Current, di/dt

(Gate drive 20V, 20Ω with t_r≤ 1µs, anode voltage ≤ 80% V_DRM

)

Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500A/µs

Non–Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000A/µs

Operating Temperature Range, T_hs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +125°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Heatsink, R_th(j–hs)

(For a device with a maximum forward voltage drop characteristic)

Double Side Cooled . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.095°C/W

Single Side Cooled . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.190°C/W

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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