NTE5591

更新时间： 2024-11-26 07:14:23

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NTE		栅极触发装置可控硅整流器
页数	文件大小	规格书
2页	25K
描述
Silicon Controlled Rectifier (SCR) 470 Amp

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NTE5591 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	DISK BUTTON, O-CEDB-X4
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	2.12	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	150 mA
最大直流栅极触发电压：	3 V	JESD-30 代码：	O-CEDB-X4
通态非重复峰值电流：	5500 A	元件数量：	1
端子数量：	4	最大通态电流：	470000 A
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	780 A	断态重复峰值电压：	600 V
重复峰值反向电压：	600 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	YES	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	END	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

NTE5591 数据手册

NTE5590, NTE5591, NTE5592, NTE5597

Silicon Controlled Rectifier (SCR)

470 Amp

Absolute Maximum Ratings: (T_J= +125°C unless otherwise specified)

Repetitive Peak Voltages, V_RRM, V_DRM, V_DSM

NTE5590 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V

NTE5591 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

NTE5592 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V

NTE5597 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V

Non–Repetitive Peak Reverse Blocking Voltage, V_RSM

NTE5590 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V

NTE5591 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V

NTE5592 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1300V

NTE5597 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1700V

Average On–State Current (Half Sine Wave), I_T(AV)

T_hs= +55°C (Double Side Cooled) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 470A

T_hs= +85°C (Single Side Cooled) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160A

RMS On–State Current (T_hs= +25°C, Double Side Cooled), I_T(RMS). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 780A

Continuous On–State Current (T_hs= +25°C, Double Side Cooled), I_T. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 668A

Peak One–Cycle Surge (10ms duration, 60% V_RRMre–applied), I_{TSM (1)}. . . . . . . . . . . . . . . . . 4650A

Non–Repetitive On–State Current (10ms duration, V_R≤ 10V), I_{TSM (2)}. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5120A

Maximum Permissible Surge Energy (V_R≤ 10V), I²t

10ms duration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131000A²s

3ms duration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97350A²s

Peak Forward Gate Current (Anode positive with respect to cathode), I_FGM. . . . . . . . . . . . . . . . 19A

Peak Forward Gate Voltage (Anode positive with respect to cathode), V_FGM. . . . . . . . . . . . . . . 18V

Peak Reverse Gate Voltage, V_RGM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Average Gate Power, P_G. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W

Peak Gate Power (100µs pulse width), P_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100W

Rate of Rise of Off–State Voltage (To 80% V_DRMgate open–circuit), dv/dt . . . . . . . . . . . . . 200V/µs

Rate of Rise of On–State Current, di/dt

(Gate drive 20V, 20Ω with t_r≤ 1µs, anode voltage ≤ 80% V_DRM

)

Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500A/µs

Non–Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000A/µs

Operating Temperature Range, T_hs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +125°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Heatsink, R_th(j–hs)

(For a device with a maximum forward voltage drop characteristic)

Double Side Cooled . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.095°C/W

Single Side Cooled . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.190°C/W

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NTE5591 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SKT340/04D	SEMIKRON	功能相似	Silicon Controlled Rectifier, 533.8A I(T)RMS, 340000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 E
SKT240/04D	SEMIKRON	功能相似	Silicon Controlled Rectifier, 376.8A I(T)RMS, 240000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 E

与NTE5591相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE5592	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 470 Amp
NTE5593	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier for Phase Control Applications
NTE5597	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 470 Amp
NTE55MCP	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| COMPLEMENTARY \| 150V V(BR)CEO \| 8A I(C) \| TO-220AB
NTE56	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor High Gain Switch and Pass Regulator
NTE5600	NTE	获取价格	TRIAC, 4 Amp
NTE56004	NTE	获取价格	TRIAC, 15 Amp
NTE56006	NTE	获取价格	TRIAC, 15 Amp
NTE56008	NTE	获取价格	TRIAC, 15 Amp
NTE5601	NTE	获取价格	TRIAC, 4 Amp

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