NTE5592

更新时间： 2024-09-14 07:14:23

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NTE		可控硅整流器
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2页	25K
描述
Silicon Controlled Rectifier (SCR) 470 Amp

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NTE5592 数据手册

NTE5590, NTE5591, NTE5592, NTE5597

Silicon Controlled Rectifier (SCR)

470 Amp

Absolute Maximum Ratings: (T_J= +125°C unless otherwise specified)

Repetitive Peak Voltages, V_RRM, V_DRM, V_DSM

NTE5590 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V

NTE5591 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

NTE5592 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V

NTE5597 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V

Non–Repetitive Peak Reverse Blocking Voltage, V_RSM

NTE5590 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V

NTE5591 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V

NTE5592 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1300V

NTE5597 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1700V

Average On–State Current (Half Sine Wave), I_T(AV)

T_hs= +55°C (Double Side Cooled) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 470A

T_hs= +85°C (Single Side Cooled) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160A

RMS On–State Current (T_hs= +25°C, Double Side Cooled), I_T(RMS). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 780A

Continuous On–State Current (T_hs= +25°C, Double Side Cooled), I_T. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 668A

Peak One–Cycle Surge (10ms duration, 60% V_RRMre–applied), I_{TSM (1)}. . . . . . . . . . . . . . . . . 4650A

Non–Repetitive On–State Current (10ms duration, V_R≤ 10V), I_{TSM (2)}. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5120A

Maximum Permissible Surge Energy (V_R≤ 10V), I²t

10ms duration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131000A²s

3ms duration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97350A²s

Peak Forward Gate Current (Anode positive with respect to cathode), I_FGM. . . . . . . . . . . . . . . . 19A

Peak Forward Gate Voltage (Anode positive with respect to cathode), V_FGM. . . . . . . . . . . . . . . 18V

Peak Reverse Gate Voltage, V_RGM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Average Gate Power, P_G. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W

Peak Gate Power (100µs pulse width), P_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100W

Rate of Rise of Off–State Voltage (To 80% V_DRMgate open–circuit), dv/dt . . . . . . . . . . . . . 200V/µs

Rate of Rise of On–State Current, di/dt

(Gate drive 20V, 20Ω with t_r≤ 1µs, anode voltage ≤ 80% V_DRM

)

Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500A/µs

Non–Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000A/µs

Operating Temperature Range, T_hs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +125°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Heatsink, R_th(j–hs)

(For a device with a maximum forward voltage drop characteristic)

Double Side Cooled . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.095°C/W

Single Side Cooled . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.190°C/W

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NTE5592 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SKT340/12E	SEMIKRON	功能相似	Line Thyristor

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NTE5593	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier for Phase Control Applications
NTE5597	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 470 Amp
NTE55MCP	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| COMPLEMENTARY \| 150V V(BR)CEO \| 8A I(C) \| TO-220AB
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NTE5600	NTE	获取价格	TRIAC, 4 Amp
NTE56004	NTE	获取价格	TRIAC, 15 Amp
NTE56006	NTE	获取价格	TRIAC, 15 Amp
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