NTE5592

更新时间： 2024-10-29 07:14:23

品牌	Logo	应用领域
NTE		可控硅整流器
页数	文件大小	规格书
2页	25K
描述
Silicon Controlled Rectifier (SCR) 470 Amp

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NTE5592 数据手册

NTE5590, NTE5591, NTE5592, NTE5597

Silicon Controlled Rectifier (SCR)

470 Amp

Absolute Maximum Ratings: (T_J= +125°C unless otherwise specified)

Repetitive Peak Voltages, V_RRM, V_DRM, V_DSM

NTE5590 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V

NTE5591 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

NTE5592 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V

NTE5597 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V

Non–Repetitive Peak Reverse Blocking Voltage, V_RSM

NTE5590 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V

NTE5591 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V

NTE5592 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1300V

NTE5597 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1700V

Average On–State Current (Half Sine Wave), I_T(AV)

T_hs= +55°C (Double Side Cooled) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 470A

T_hs= +85°C (Single Side Cooled) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160A

RMS On–State Current (T_hs= +25°C, Double Side Cooled), I_T(RMS). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 780A

Continuous On–State Current (T_hs= +25°C, Double Side Cooled), I_T. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 668A

Peak One–Cycle Surge (10ms duration, 60% V_RRMre–applied), I_{TSM (1)}. . . . . . . . . . . . . . . . . 4650A

Non–Repetitive On–State Current (10ms duration, V_R≤ 10V), I_{TSM (2)}. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5120A

Maximum Permissible Surge Energy (V_R≤ 10V), I²t

10ms duration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131000A²s

3ms duration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97350A²s

Peak Forward Gate Current (Anode positive with respect to cathode), I_FGM. . . . . . . . . . . . . . . . 19A

Peak Forward Gate Voltage (Anode positive with respect to cathode), V_FGM. . . . . . . . . . . . . . . 18V

Peak Reverse Gate Voltage, V_RGM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Average Gate Power, P_G. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W

Peak Gate Power (100µs pulse width), P_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100W

Rate of Rise of Off–State Voltage (To 80% V_DRMgate open–circuit), dv/dt . . . . . . . . . . . . . 200V/µs

Rate of Rise of On–State Current, di/dt

(Gate drive 20V, 20Ω with t_r≤ 1µs, anode voltage ≤ 80% V_DRM

)

Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500A/µs

Non–Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000A/µs

Operating Temperature Range, T_hs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +125°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Heatsink, R_th(j–hs)

(For a device with a maximum forward voltage drop characteristic)

Double Side Cooled . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.095°C/W

Single Side Cooled . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.190°C/W

中文翻译

下载PDF

NTE5592 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SKT340/12E	SEMIKRON	功能相似	Line Thyristor

与NTE5592相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE5593	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier for Phase Control Applications
NTE5597	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 470 Amp
NTE55MCP	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| COMPLEMENTARY \| 150V V(BR)CEO \| 8A I(C) \| TO-220AB
NTE56	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor High Gain Switch and Pass Regulator
NTE5600	NTE	获取价格	TRIAC, 4 Amp
NTE56004	NTE	获取价格	TRIAC, 15 Amp
NTE56006	NTE	获取价格	TRIAC, 15 Amp
NTE56008	NTE	获取价格	TRIAC, 15 Amp
NTE5601	NTE	获取价格	TRIAC, 4 Amp
NTE56010	NTE	获取价格	TRIAC, 15 Amp

与NTE5592相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

15
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

19
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

43
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

50

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NTE5592

NTE5592 数据手册

NTE5592 替代型号

与NTE5592相关器件

与NTE5592相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NTE5592

NTE5592 数据手册

NTE5592 替代型号

与NTE5592相关器件

与NTE5592相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？