NTE5586

更新时间： 2024-11-26 07:14:19

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NTE		栅极触发装置可控硅整流器
页数	文件大小	规格书
2页	27K
描述
Silicon Controlled Rectifier for Phase Control Applications

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NTE5586 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	2.13	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ANODE	配置：	SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：	200 V/us	最大直流栅极触发电流：	150 mA
最大直流栅极触发电压：	3 V	最大维持电流：	600 mA
JESD-30 代码：	O-MUPM-H3	最大漏电流：	20 mA
通态非重复峰值电流：	5120 A	元件数量：	1
端子数量：	3	最大通态电流：	226000 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	354.82 A	断态重复峰值电压：	600 V
重复峰值反向电压：	600 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	端子形式：	HIGH CURRENT CABLE
端子位置：	UPPER	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

NTE5586 数据手册

NTE5586 & NTE5588

Silicon Controlled Rectifier

for Phase Control Applications

Electrical Characteristics: (Maximum values @ T_J= +125°C unless otherwise specified)

Repetitive Peak Voltages, V_DRM& V_RRM

NTE5586 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

NTE5588 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V

Non–Repetitive Peak Off–State Voltage, V_DSM

NTE5586 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

NTE5588 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V

Non–Repetitive Peak Reverse Blocking Voltage, V_RSM

NTE5586 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V

NTE5588 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1700V

Average On–State Current (Half Sine Wave, T_C= +85°C), I_T(AV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 226A

RMS On–State Current, I_(RMS). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 355A

Continuous On–State Current, I_T. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 355A

Peak One–Cycle, Non–Repetitive Surge Current (10ms Duration), I_TSM

60% V_RRMreapplied . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4650A

V_R≤ 10V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5120A

Maximum I²t for Fusing (V_R≤ 10V), I²t

10ms Duration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131,000A²sec

10ms Duration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97350A²sec

Peak Forward Gate Current (Anode Positive with Respect to Cathode), I_FGM. . . . . . . . . . . . . . . 20A

Peak Forward Gate Voltage (Anode Positive with Respect to Cathode), V_FGM. . . . . . . . . . . . . . 18V

Peak Reverse Gate Voltage, V_RGM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Average Gate Power, P_G. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W

Peak Gate Power (100µs Pulse Width), P_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100W

Rate of Rise of Off–State Voltage (To 80% V_DRM, Gate Open), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V/µs

Rate of Rise of ON–State Current, di/dt

(Gate Drive 20V, 20Ω, with t_r≤ 1µs, Anode Voltage ≤ 80% V_DRM

)

Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500A/µs

Non–Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000A/µs

Peak On–State Voltage (I_TM= 710A), V_TM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.62V

Forward Conduction Threshold Voltage, V_O. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.92V

Forward Conduction Slope Resistance, r . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.99mΩ

Repetitive Peak Off–State Current (At V_DRM), I_DRM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20mA

Repetitive Peak Reverse Current (At V_RRM), I_RRM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20mA

Maximum Gate Current Required to Fire All Devices (V_A= 6V, I_A= 2A, T_J= +25°C), I_GT. . 150mA

Maximum Gate Voltage Required to Fire All Devices (V_A= 6V, I_A= 2A, T_J= +25°C), V_GT. . . . . 3V

Maximum Holding (V_A= 6V, I_A= 2A, T_J= +25°C), I_H. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600mA

Maximum Gate Voltage which will not Trigger any Device, V_GD. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.25V

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