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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-94 |
| 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 标称电路换相断开时间： | 100 µs | 配置： | SINGLE |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 200 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 100 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 3 V | 最大维持电流： | 200 mA |
| JEDEC-95代码： | TO-209AC | JESD-30 代码： | O-MUPM-H3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 86 A | 重复峰值关态漏电流最大值： | 10000 µA |
| 断态重复峰值电压： | 800 V | 重复峰值反向电压： | 800 V |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | HIGH CURRENT CABLE | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| NTE5574 | NTE |
功能相似  |
Silicon Controlled Rectifier for Phase Control Applications |
|
| 80RIA120PBF | VISHAY |
功能相似 |
Phase Control Thyristors (Stud Version), 80 A |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 55C80BE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 86A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, |
|
| 55C80BF | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier |
|
| 55C80BFILE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 86A I(T)RMS, 800V V(RRM), 1 Element, TO-208AD, TO-83, 2 PIN |
|
| 55C80BIL | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 86A I(T)RMS, 800V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN |
|
| 55C80BILE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 86A I(T)RMS, 800V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN |
|
| 55C81023405 | SUMIDA |
获取价格 |
General Purpose Inductor, |
|
| 55C81203403 | SUMIDA |
获取价格 |
General Purpose Inductor, |
|
| 55C81502200 | SUMIDA |
获取价格 |
General Purpose Inductor, |
|
| 55C81502203 | SUMIDA |
获取价格 |
General Purpose Inductor, |
|
| 55C81502205 | SUMIDA |
获取价格 |
General Purpose Inductor, |
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