NTE5589

更新时间： 2024-11-26 07:14:23

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NTE		栅极触发装置可控硅整流器
页数	文件大小	规格书
2页	27K
描述
Silicon Controlled Rectifier for Phase Control Applications

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NTE5589 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	2.12	外壳连接：	ANODE
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	150 mA
最大直流栅极触发电压：	3 V	JEDEC-95代码：	TO-118
JESD-30 代码：	O-MUPM-H3	通态非重复峰值电流：	10000 A
元件数量：	1	端子数量：	3
最大通态电流：	550000 A	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	550 A
断态重复峰值电压：	1200 V	重复峰值反向电压：	1200 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	NO
端子形式：	HIGH CURRENT CABLE	端子位置：	UPPER
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

NTE5589 数据手册

NTE5587, NTE5589, NTE5593

Silicon Controlled Rectifier

for Phase Control Applications

Features:

D Low On–State Voltage

D High di/dt

D High dv/dt

D Excellent Surge and I²t Ratings

Applications:

D Power Supplies

D Battery Chargers

D Motor Controls

Absolute Maximum Ratingsand Electrical Characteristics:

Repetitive Peak Voltages, V_DRM& V_RRM

NTE5587 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

NTE5589 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V

NTE5593 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V

RMS On–State Current, I_T(RMS). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 550A

Average On–State Current, I_T(AV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350

Peak One–Cycle, Non–Repetitive On–State Surge Current, I_TSM

50Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9100A

60Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10,000A

Critical Rate–of–Rise of On–State Current, di/dt

Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150A/µs

Non–Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800A/µs

I²t fo Fusing (8.2ms), I²t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 416,000A²sec

Peak Gate Power Dissipation, P_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16W

Average Gate Power Dissipation, P_G(AV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3W

Peak On–State Voltage (I_TM= 625A, T_J= +25°C), V_TM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.4V

Peak Forward Leakage Current (At V_DRM, T_J= +125°C), I_DRM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30mA

Peak Reverse Leakage Current (At V_RRM, T_J= +125°C), I_RRM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30mA

Gate Current to Trigger (V_D= 12V, T_J= +25°C), I_GT. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150mA

Gate Voltage to Trigger (V_D= 12V, T_J= +25°C), V_GT. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V

Non–Triggering Gate Voltage (At V_DRM, T_J= +125°C), V_GDM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.15V

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