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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-94 |
| 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| Factory Lead Time： | 18 weeks | 风险等级： | 5.15 |
| 标称电路换相断开时间： | 110 µs | 配置： | SINGLE |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 500 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 120 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 3.5 V | 最大维持电流： | 200 mA |
| JEDEC-95代码： | TO-209AC | JESD-30 代码： | O-MUPM-H3 |
| JESD-609代码： | e2 | 最大漏电流： | 15 mA |
| 通态非重复峰值电流： | 1900 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最大通态电流： | 80000 A |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 125 A |
| 断态重复峰值电压： | 1200 V | 重复峰值反向电压： | 1200 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN COPPER | 端子形式： | HIGH CURRENT CABLE |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| NTE5579 | NTE |
类似代替  |
Silicon Controlled Rectifier (SCR) 125 Amp |
|
| NTE5574 | NTE |
功能相似 |
Silicon Controlled Rectifier for Phase Control Applications |
|
| 55C80B | MICROSEMI |
功能相似 |
Silicon Controlled Rectifier |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 80RIA20 | NJSEMI |
获取价格 |
20 STERN ave. |
|
| 80RIA20M | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 125A I(T)RMS, 80000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Elem |
|
| 80RIA40 | INFINEON |
获取价格 |
PHASE CONTROL THYRISTORS |
|
| 80RIA40 | NJSEMI |
获取价格 |
20 STERN ave. |
|
| 80RIA40M | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 125 A, 400 V, SCR, TO-209AC, TO-209AC, 3 PIN |
|
| 80RIA40M | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 125A I(T)RMS, 80000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Elem |
|
| 80RIA40MPBF | VISHAY |
获取价格 |
Phase Control Thyristors (Stud Version), 80 A |
|
| 80RIA40PBF | VISHAY |
获取价格 |
Phase Control Thyristors (Stud Version), 80 A |
|
| 80RIA40PBF_10 | VISHAY |
获取价格 |
Phase Control Thyristors (Stud Version), 80 A |
|
| 80RIA60 | NJSEMI |
获取价格 |
20 STERN ave. |
|
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