生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-94 |
包装说明: | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | unknown | HTS代码: | 8541.30.00.80 |
风险等级: | 5.68 | Is Samacsys: | N |
配置: | SINGLE | 最大直流栅极触发电流: | 120 mA |
JEDEC-95代码: | TO-209AC | JESD-30 代码: | O-MUPM-H3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | POST/STUD MOUNT | 认证状态: | Not Qualified |
最大均方根通态电流: | 125 A | 断态重复峰值电压: | 400 V |
重复峰值反向电压: | 400 V | 表面贴装: | NO |
端子形式: | HIGH CURRENT CABLE | 端子位置: | UPPER |
触发设备类型: | SCR | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
80RIA40MPBF | VISHAY |
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Phase Control Thyristors (Stud Version), 80 A | |
80RIA40PBF | VISHAY |
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Phase Control Thyristors (Stud Version), 80 A | |
80RIA40PBF_10 | VISHAY |
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Phase Control Thyristors (Stud Version), 80 A | |
80RIA60 | NJSEMI |
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20 STERN ave. | |
80RIA60M | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 125A I(T)RMS, 80000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Elem | |
80RIA60PBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 125A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-209AC | |
80RIA80 | NJSEMI |
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20 STERN ave. | |
80RIA80 | INFINEON |
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PHASE CONTROL THYRISTORS Stud Version | |
80RIA80M | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 125 A, 800 V, SCR, TO-209AC | |
80RIA80M | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 125A I(T)RMS, 80000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Elem |