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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-94 |
| 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.19 | Is Samacsys： | N |
| 标称电路换相断开时间： | 110 µs | 配置： | SINGLE |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 500 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 120 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 3.5 V | 最大维持电流： | 200 mA |
| JEDEC-95代码： | TO-209AC | JESD-30 代码： | O-MUPM-H3 |
| 最大漏电流： | 15 mA | 通态非重复峰值电流： | 1900 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最大通态电流： | 80000 A | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 125 A | 断态重复峰值电压： | 800 V |
| 重复峰值反向电压： | 800 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | HIGH CURRENT CABLE |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 80RIA80PBF | VISHAY |
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Phase Control Thyristors (Stud Version), 80 A |
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| 80RIASERIES | ETC |
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PHASE CONTROL THYRISTORS 80A |
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| 80R-JMDSS-G-1-TF(S) | JST |
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该连接器为0.5mm间距的SMT型板对板连接器，具有水平和垂直连接。 |
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| 80RKI10 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 125A I(T)RMS, 80000mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Elem |
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| 80RKI100 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 125A I(T)RMS, 80000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 El |
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| 80RKI100M | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 125A I(T)RMS, 80000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 El |
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| 80RKI10M | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 125A I(T)RMS, 80000mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Elem |
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| 80RKI120 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 125A I(T)RMS, 80000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 El |
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| 80RKI120M | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 125A I(T)RMS, 80000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 El |
|
| 80RKI20 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 125A I(T)RMS, 80000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Elem |
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