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| 生命周期： | Active | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.75 | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 120 mA | JEDEC-95代码： | TO-209AC |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-H3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 125 A |
| 断态重复峰值电压： | 800 V | 重复峰值反向电压： | 800 V |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | HIGH CURRENT CABLE |
| 端子位置： | UPPER | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 80RIA80MPBF | VISHAY |
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Phase Control Thyristors (Stud Version), 80 A |
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| 80RIA80PBF | VISHAY |
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Phase Control Thyristors (Stud Version), 80 A |
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| 80RIASERIES | ETC |
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PHASE CONTROL THYRISTORS 80A |
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| 80R-JMDSS-G-1-TF(S) | JST |
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该连接器为0.5mm间距的SMT型板对板连接器，具有水平和垂直连接。 |
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| 80RKI10 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 125A I(T)RMS, 80000mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Elem |
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| 80RKI100 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 125A I(T)RMS, 80000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 El |
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| 80RKI100M | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 125A I(T)RMS, 80000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 El |
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| 80RKI10M | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 125A I(T)RMS, 80000mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Elem |
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| 80RKI120 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 125A I(T)RMS, 80000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 El |
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| 80RKI120M | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 125A I(T)RMS, 80000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 El |
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