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NTE5574

更新时间： 2024-11-26 07:14:19

品牌	Logo	应用领域
NTE		可控硅整流器
页数	文件大小	规格书
2页	25K
描述
Silicon Controlled Rectifier for Phase Control Applications

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NTE5574 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	2.12	外壳连接：	ANODE
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	120 mA
最大直流栅极触发电压：	3 V	JEDEC-95代码：	TO-94
JESD-30 代码：	O-MUPM-H3	通态非重复峰值电流：	1800 A
元件数量：	1	端子数量：	3
最大通态电流：	125000 A	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	125 A
断态重复峰值电压：	1200 V	重复峰值反向电压：	1200 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	NO
端子形式：	HIGH CURRENT CABLE	端子位置：	UPPER
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

NTE5574 数据手册

NTE5570, NTE5572, & NTE5574

Silicon Controlled Rectifier

for Phase Control Applications

Electrical Characteristics: (Maximum values @ T_J= +125°C unless otherwise specified)

Repetitive Peak Voltages, V_DRM& V_RRM

NTE5570 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V

NTE5572 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

NTE5574 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V

Non–Repetitive Peak Reverse Blocking Voltage, V_RSM

NTE5570 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V

NTE5572 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 900V

NTE5574 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1300V

Average On–State Current (Half Sine Wave, 180°, T_C= +85°C), I_T(AV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80A

RMS On–State Current (DC @ T_C= +75°C), I_T(RMS). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125A

Peak One–Cycle, Non–Repetitive Surge Current (10ms Duration, Sinusoidal Half Wave), I_TSM

No Voltage Reapplied . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1900A

100% V_RRMReapplied . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600A

Maximum I²t for Fusing (10ms Duration, Sinusoidal Half Wave), I²t

No Voltage Reapplied . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18000A²sec

100% V_RRMReapplied . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12700A²sec

Peak Positive Gate Current (5ms Pulse Width), I_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3A

Peak Positive Gate Voltage (5ms Pulse Width), +V_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V

Peak Negative Gate Voltage (5ms Pulse Width), –V_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10V

Average Gate Power (f = 50Hz, Duty Cycle = 50%), P_G. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3W

Peak Gate Power (50ms Pulse Width), P_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12W

Rate of Rise of Off–State Voltage (Exponential to 67% Rated V_DRM), dv/dt . . . . . . . . . . . . 500V/µs

Rate of Rise of ON–State Current, di/dt

(Gate Drive 20V, 65Ω, with t_r= 0.5µs, V_d= Rated V_DRM, I_TM= 2 x di/dt snubber 0.2µF)

Non–Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300A/µs

Typical Delay Time, t_d

(Gate Pulse: 10V, 15Ω Source, t_p= 6µs, t_r= 0.1µs, V_d= rated V_DRM, I_TM= 50A) . . . . . 1µs

Typical Turn–On Time, t_q

(I_TM= 50A, di/dt = –5A/µs min, V_R= 50V, dv/dt = 20V/µs, Gate Bias: 0V 25Ω, t_p= 500µs) 110µs

On–State Voltage (I_Pk= 250A, 10ms Sine Pulse), V_TM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.6V

Repetitive Peak Off–State Current (At V_DRM), I_DRM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15mA

Repetitive Peak Reverse Current (At V_RRM), I_RRM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15mA

Maximum Gate Current Required to Trigger, I_GT

(6V Anode–to–Cathode Applied, T_J= +25°C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120mA

Maximum Gate Voltage Required to Trigger, V_GT

(6V Anode–to–Cathode Applied, T_J= +25°C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5V

Maximum Holding (Anode Supply 12V Resistive Load, T_J= +25°C), I_H. . . . . . . . . . . . . . . . . 150mA

Maximum Gate Voltage which will not Trigger any Device, V_GD. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.25V

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NTE5574 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NTE5579	NTE	完全替代	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 125 Amp
80RIA120PBF	VISHAY	功能相似	Phase Control Thyristors (Stud Version), 80 A
55C100B	MICROSEMI	功能相似	Silicon Controlled Rectifier

与NTE5574相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE5575	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 125 Amp
NTE5576	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
NTE5577	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 125 Amp
NTE5578	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
NTE5579	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 125 Amp
NTE558	NTE	获取价格	General Purpose Silicon Rectifier
NTE5580	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier for Phase Control Applications
NTE5582	ETC	获取价格
NTE5584	ETC	获取价格
NTE5585	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier for Phase Control Applications

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