NTE5580

更新时间： 2024-11-27 07:14:19

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NTE		栅极触发装置可控硅整流器
页数	文件大小	规格书
2页	26K
描述
Silicon Controlled Rectifier for Phase Control Applications

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NTE5580 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	2.13
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ANODE
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	150 mA
最大直流栅极触发电压：	3 V	JEDEC-95代码：	TO-93
JESD-30 代码：	O-MUPM-H3	通态非重复峰值电流：	5500 A
元件数量：	1	端子数量：	3
最大通态电流：	275000 A	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	235.5 A
断态重复峰值电压：	200 V	重复峰值反向电压：	200 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	NO
端子形式：	HIGH CURRENT CABLE	端子位置：	UPPER
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

NTE5580 数据手册

NTE5580 thru NTE5585

Silicon Controlled Rectifier

for Phase Control Applications

Features:

D Center Fired Gate

D All Diffused Design

D Low Gate Current

D Low Thermal Impedance

D High Surge

Electrical Characteristics:

Repetitive Peak Off–State and Reverse Voltage, V_DRM& V_RRM

NTE5580 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V

NTE5582 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

NTE5584 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V

NTE5585 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V

Maximum RMS On–State Current, I_(RMS). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 235A

Maximum Average On–State Current, I_T(AV)

T_C= +88°C, 180° conduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150A

T_C= +80°C, 3 phase conduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 135A

Maximum Peak One–Cycle, Non–Repetitive Surge Current, I_TSM

50Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3200A

60Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3500A

Maximum I²t for Fusing (1.5msec), I²t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32,000A²sec

Peak On–State Voltage (T_J= +25°C, 180° conduction, Rated I_T(AV)), V_TM. . . . . . . . . . . . . . . . . 1.7V

Maximum Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.14°C/W

Typical Turn–Off Time (T_J= 125°C), t_q. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250µs

Rate–of–Rise of Turned–On Current, di/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200A/µs

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +125°C

Maximum Reverse Recovered Charge (T_J= +25°C), Q_RR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200µc

Maximum Critical Rate–of–Rise of Off–State Voltage, dV/dt

Exponential @ Max. Rated T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V/µs

Maximum Required Gate Current to Trigger, I_GT

T_J= –40°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mA

T_J= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150mA

Maximum Required Gate Voltage to Trigger (T_J= –40° to +125°C), V_GT. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V

Peak On–State Voltage, V_F. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Note 1

Maximum Stud Torque . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300 In–Lbs (33.9 N–M)

Note 1. V_F= A + B S L_N(I) + C S I + D√I

Where: I_MIN= 10A

_MAX= 3000A

= .523

= .022

= .0005

= .038

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NTE5580 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N3885	POWEREX	功能相似	Phase Control SCR 175 Amoeres Average 1200 Volts
2N3884	POWEREX	功能相似	Phase Control SCR 175 Amoeres Average 1200 Volts
15102GOA	MICROSEMI	功能相似	Silicon Controlled Rectifier

与NTE5580相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE5582	ETC	获取价格
NTE5584	ETC	获取价格
NTE5585	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier for Phase Control Applications
NTE5586	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier for Phase Control Applications
NTE5587	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier for Phase Control Applications
NTE5588	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier for Phase Control Applications
NTE5589	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier for Phase Control Applications
NTE559	NTE	获取价格	Voltage Multiplier Diode, Silicon,
NTE5590	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 470 Amp
NTE5591	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 470 Amp

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