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NTE5582

更新时间： 2024-10-28 23:54:59

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NTE5582 数据手册

NTE5580 thru NTE5585

Silicon Controlled Rectifier

for Phase Control Applications

Features:

D Center Fired Gate

D All Diffused Design

D Low Gate Current

D Low Thermal Impedance

D High Surge

Electrical Characteristics:

Repetitive Peak Off–State and Reverse Voltage, V_DRM& V_RRM

NTE5580 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V

NTE5582 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

NTE5584 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V

NTE5585 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V

Maximum RMS On–State Current, I_(RMS). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 235A

Maximum Average On–State Current, I_T(AV)

T_C= +88°C, 180° conduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150A

T_C= +80°C, 3 phase conduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 135A

Maximum Peak One–Cycle, Non–Repetitive Surge Current, I_TSM

50Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3200A

60Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3500A

Maximum I²t for Fusing (1.5msec), I²t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32,000A²sec

Peak On–State Voltage (T_J= +25°C, 180° conduction, Rated I_T(AV)), V_TM. . . . . . . . . . . . . . . . . 1.7V

Maximum Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.14°C/W

Typical Turn–Off Time (T_J= 125°C), t_q. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250µs

Rate–of–Rise of Turned–On Current, di/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200A/µs

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +125°C

Maximum Reverse Recovered Charge (T_J= +25°C), Q_RR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200µc

Maximum Critical Rate–of–Rise of Off–State Voltage, dV/dt

Exponential @ Max. Rated T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V/µs

Maximum Required Gate Current to Trigger, I_GT

T_J= –40°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mA

T_J= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150mA

Maximum Required Gate Voltage to Trigger (T_J= –40° to +125°C), V_GT. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V

Peak On–State Voltage, V_F. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Note 1

Maximum Stud Torque . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300 In–Lbs (33.9 N–M)

Note 1. V_F= A + B S L_N(I) + C S I + D√I

Where: I_MIN= 10A

_MAX= 3000A

= .523

= .022

= .0005

= .038

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