NTE558

更新时间： 2024-10-29 04:35:59

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NTE		整流二极管
页数	文件大小	规格书
2页	20K
描述
General Purpose Silicon Rectifier

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NTE558 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	O-XALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	2.12
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.2 V
JEDEC-95代码：	DO-41	JESD-30 代码：	O-XALF-W2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	1500 V
最大反向恢复时间：	0.25 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

NTE558 数据手册

NTE5329 thru NTE5331

Single Phase Bridge Rectifier

6 Amp

Features:

D High Case Dielectric Strength of 1500V_RMS

D Surge Overload Rating: 250A (Peak)

D Ideal for Printed Circuit Board

D Reliable Construction Utilizing Molded Plastic Technique

D Glass Passivated Chip Junctions

Maximum Ratings and Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified.

60Hz Resistive or Inductive Load. For Capacitive Load, Derate Current by 20%)

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage, P_RV

NTE5329 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V

NTE5330 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

NTE5331 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000V

Maximum RMS Voltage, V_RMS

NTE5329 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140V

NTE5330 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 420V

NTE5331 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V

Maximum DC Blocking Voltage, V_DC

NTE5329 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V

NTE5330 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

NTE5331 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000V

Maximum Average Forward Output Current, I_F(AV)

T_C= +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6A

T_A= +40°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6A

Peak Forward Surge Current, I_FSM

(Half Sine–Wave Superimposed on Rated Load) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250A

Maximum Instantaneous Forward Voltage Drop (Per Bridge Element, I_F= 6A), V_F. . . . . . . . . 1.0V

Maximum DC Reverse Current (at Rated DC Blocking Voltage per Element), I_R

T_A= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5µA

T_A= +125°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1mA

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –50° to +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –50° to +150°C

Thermal Resistance, Junction to Case (Note 1), R_Θ_JC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.7°C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 2), R_Θ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.7°C/W

Note 1. Mounted on a 2.6” x 1.4” x 0.06” THK (6.5cm. x 3.5cm. x 1.5cm.) Al. Plate

Note 2. P.C. Board mounted on 0.5” sq. (12mm²) Cu. pads, .375” (9.5mm) lead lengths

Note 3. Recommended mounting position is to bolt down on heatsink with silicone thermal com-

pound for maximum heat transfer with #6 screw.

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NTE558 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
RB521G-30T2R	ROHM	功能相似	Schottky barrier diode RB521G-30

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NTE5589	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier for Phase Control Applications
NTE559	NTE	获取价格	Voltage Multiplier Diode, Silicon,
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