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NTE2391

更新时间： 2024-11-20 21:14:55

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NTE		/
页数	文件大小	规格书
3页	75K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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NTE2391 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.75	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

NTE2391 数据手册

NTE2391

MOSFET

P−Channel Enhancement Mode,

High Speed Switch

TO−220 Type Package

Description:

The NTE2391 is a P−Channel Enhancement Mode Power MOS Field Effect Transistor that utilizes ad-

vanced processing techniques to achieve extremely low on−resistance per silicon area. This benefit,

combined with the fast switching speed and ruggedized device design provides the designer with an

extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Features:

D Ultra Low On−Resistance

D Dynamic dv/dt Rating

D +175C Operating Temperature

D Fast Switching

D Fully Avalanche Rated

Absolute Maximum Ratings:

Continuous Drain Current (V_GS= −10V), I_D

T_C= +25C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −40A

T_C= +100C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −29A

Pulsed Drain Current (Note 1), I_DM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −140A

Power Dissipation (T_C= +25C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200W

Derate Above 25C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3W/C

Gate−Source Voltage, V_GS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V

Single Pulse Avalanche Energy (Note 2), E_AS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 780mJ

Avalanche Current (Note 1), I_AR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −21A

Repetitive Avalanche Energy (Note 1), E_AR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20mJ

Peak Diode Recovery (Note 3), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −5.0V/ns

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −55 to +175C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −55 to +175C

Lead Temperature (During Soldering, 0.063 in. (1.6mm) from case, 10sec), T_L. . . . . . . . . . +300C

Mounting Torque, 6−32 or M3 Screw . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 lbfin (1.1Nm)

Maximum Thermal Resistance, Junction−to−Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.75C/W

Typical Thermal Resistance, Case−to−Sink, R_thCS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.5C/W

Maximum Thermal Resistance, Junction−to−Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62C/W

Note 1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.

Note 2. V_DD= −25V, starting T_J= +25C, L = 3.5mH, R_G= 25, I_AS= −21A.

Note 3. I_SD −21A, di/dt  −480A/s, V_DD V_(BR)DSS, T_J+175C.

12 3

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