NTE2402

更新时间： 2024-10-31 22:49:55

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NTE		晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管
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Silicon Complementary Transistors Low Noise, UHF/VHF Amplifier

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NTE2402 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	2.13
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.025 A
集电极-发射极最大电压：	15 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	5000 MHz	Base Number Matches：	1

NTE2402 数据手册

NTE2402 (NPN) & NTE2403 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

Low Noise, UHF/VHF Amplifier

Description:

The NTE2402 (NPN) and NTE2403 (PNP) are silicon complementary transistors in an SOT–23 type

surface mount package designed for use in UHF and microwave amplifiers in thick and thin–film cir-

cuits, such as in aerial amplifiers, radar systems, oscilloscopes, spectrum analysers, etc. These tran-

sistors feature low intermodulation distortion and high power gain. Due to very high transition fre-

quency, these devices also have excellent wideband properties and low noise up to high frequencies.

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2V

DC Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25mA

Total Power Dissipation (T_A≤ +60°C, Note 1), P_tot. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mW

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Ambient (Note 1), R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 430K/W

Note 1. Mounted on a ceramic substrate of .314 (8mm) x .393 (10mm) x .027 (0.7mm).

Electrical Characteristics: (T_J= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector Cutoff Current

DC Current Gain

Symbol

I_CBO

h_FE

f_T

Test Conditions

V_CB= 10V, I_E= 0

Min Typ Max Unit

–

V_CE= 10V, I_C= 14mA

Transition Frequency

Collector Capacitance

Emitter Capacitance

Feedback Capacitance

V_CE= 10V, I_C= 14mA, f = 500MHz

V_CB= 10V, I_E= Ie = 0, f = 1MHz

V_EB= 0.5V, I_C= I_c= 0, f = 1MHz

–

GHz

C_c

–

0.75

0.8

0.4

–

C_e

–

C_re

V_CE= 10V, I_C= 2mA, f = 1MHz,

T_A= +25°C

–

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NTE2402 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NTE2406	NTE	类似代替	Silicon NPN Transistor General Purpose Amp, Surface Mount (Compl to NTE2407)
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NTE108	NTE	功能相似	Silicon NPN Transistor High Frequency Amplifier

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NTE2407	NTE	获取价格	Silicon PNP Transistor General Purpose Amp, Surface Mount (Compl to NTE2406)
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