5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > NTE2404
NTE2404 PDF预览

NTE2404

更新时间： 2024-11-19 22:49:55
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体晶体管达林顿晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 25K
描述
Silicon Complementary Transistors Darlington, General Purpose

阅读下载

中文翻译

获取价格

NTE2404 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：1.6
最大集电极电流 (IC)：0.3 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：20000
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：220 MHzBase Number Matches：1

NTE2404 数据手册

 浏览型号NTE2404的Datasheet PDF文件第2页 
NTE2404 (NPN) & NTE2405 (PNP)  
Silicon Complementary Transistors  
Darlington, General Purpose  
Description:  
The NTE2404 (NPN) and NTE2405 (PNP) are silicon complementary Darlington transistors in an  
SOT–23 type surface mount case designed for general–purpose applications.  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10V  
Collector Current, IC  
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mA  
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800mA  
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA  
Total Power Dissipation (TA = +25°C, Note 1), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350mW  
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1), RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350K/W  
Note 1. Mounted on a ceramic substrate of .590 (15mm) x .590 (15mm) x .027 (0.7mm).  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
= 30V  
CBO  
Min  
Typ Max Unit  
Collector–Base Current  
I
V
V
–
–
–
–
100  
100  
–
nA  
nA  
V
CBO  
Emitter–Base Current  
I
= 10V  
EB  
EBO  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
Collector–Base Breakdown Voltage  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
Collector–Emitter Saturation Voltage  
Base–Emitter Saturation Voltage  
DC Current Gain  
V
V
I = 10mA  
C
30  
–
(BR)CEO  
(BR)CBO  
I = 10µA  
C
40  
–
–
V
V
I = 100nA  
E
10  
–
–
V
(BR)EBO  
V
I = 100mA, I = 0.1mA  
–
–
1
V
CE(sat)  
C
B
V
BE(sat)  
I = 100mA, I = 0.1mA  
–
–
1.5  
–
V
C
B
h
FE  
I = 1mA, V = 5V  
4000  
10000  
20000  
–
–
C
CE  
I = 10mA, V = 5V  
–
–
C
CE  
I = 100mA, V = 5V  
–
–
C
CE  
Transition Frequency  
Collector Capacitance  
f
T
I = 30mA, V = 5V, f = 100MHz  
220  
3.5  
–
MHz  
pF  
C
CE  
C
c
I = 0, V = 30V  
–
–
E
CB  
12

中文翻译

下载PDF

与NTE2404相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTE2405 NTE

获取价格

 		Silicon Complementary Transistors Darlington, General Purpose
NTE2406 NTE

获取价格

 		Silicon NPN Transistor General Purpose Amp, Surface Mount (Compl to NTE2407)
NTE2407 NTE

获取价格

 		Silicon PNP Transistor General Purpose Amp, Surface Mount (Compl to NTE2406)
NTE2408 NTE

获取价格

 		Silicon NPN Transistor General Purpose Amp, Surface Mount (Compl to NTE2409)
NTE2409 NTE

获取价格

 		Silicon PNP Transistor General Purpose Amp, Surface Mount (Compl to NTE2408)
NTE241 NTE

获取价格

 		Silicon Complementary Transistors Audio Power Amplifier, Switch
NTE2410 NTE

获取价格

 		Silicon NPN Transistor High Voltage Amp/Driver (Comp to NTE2411)
NTE2411 NTE

获取价格

 		Silicon PNP Transistor High Voltage Amp/Driver (Compl to NTE2410)
NTE2412 NTE

获取价格

 		Silicon NPN Transistor General Purpose, High Voltage Amp, (Compl to NTE2413)
NTE2413 NTE

获取价格

 		Silicon PNP Transistor General Purpose, High Voltage Amp, (Compl to NTE2412)

与NTE2404相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证