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NTE2404 PDF预览

NTE2404

更新时间： 2024-01-09 07:39:16
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体晶体管达林顿晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 25K
描述
Silicon Complementary Transistors Darlington, General Purpose

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NTE2404 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：1.6
最大集电极电流 (IC)：0.3 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：20000
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：220 MHzBase Number Matches：1

NTE2404 数据手册

 浏览型号NTE2404的Datasheet PDF文件第2页 
NTE2404 (NPN) & NTE2405 (PNP)  
Silicon Complementary Transistors  
Darlington, General Purpose  
Description:  
The NTE2404 (NPN) and NTE2405 (PNP) are silicon complementary Darlington transistors in an  
SOT–23 type surface mount case designed for general–purpose applications.  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10V  
Collector Current, IC  
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mA  
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800mA  
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA  
Total Power Dissipation (TA = +25°C, Note 1), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350mW  
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1), RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350K/W  
Note 1. Mounted on a ceramic substrate of .590 (15mm) x .590 (15mm) x .027 (0.7mm).  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
= 30V  
CBO  
Min  
Typ Max Unit  
Collector–Base Current  
I
V
V
–
–
–
–
100  
100  
–
nA  
nA  
V
CBO  
Emitter–Base Current  
I
= 10V  
EB  
EBO  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
Collector–Base Breakdown Voltage  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
Collector–Emitter Saturation Voltage  
Base–Emitter Saturation Voltage  
DC Current Gain  
V
V
I = 10mA  
C
30  
–
(BR)CEO  
(BR)CBO  
I = 10µA  
C
40  
–
–
V
V
I = 100nA  
E
10  
–
–
V
(BR)EBO  
V
I = 100mA, I = 0.1mA  
–
–
1
V
CE(sat)  
C
B
V
BE(sat)  
I = 100mA, I = 0.1mA  
–
–
1.5  
–
V
C
B
h
FE  
I = 1mA, V = 5V  
4000  
10000  
20000  
–
–
C
CE  
I = 10mA, V = 5V  
–
–
C
CE  
I = 100mA, V = 5V  
–
–
C
CE  
Transition Frequency  
Collector Capacitance  
f
T
I = 30mA, V = 5V, f = 100MHz  
220  
3.5  
–
MHz  
pF  
C
CE  
C
c
I = 0, V = 30V  
–
–
E
CB  
12

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