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NTE241

更新时间： 2024-11-19 22:49:55
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2页 25K
描述
Silicon Complementary Transistors Audio Power Amplifier, Switch

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NTE241 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：SFM
包装说明：TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：1.69Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：4 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：7JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：60 W
最大功率耗散 (Abs)：60 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：2.5 MHzBase Number Matches：1

NTE241 数据手册

 浏览型号NTE241的Datasheet PDF文件第2页 
NTE241 (NPN) & NTE242 (PNP)  
Silicon Complementary Transistors  
Audio Power Amplifier, Switch  
Description:  
The NTE241 (NPN) and NTE242 (PNP) are silicon complementary transistors in a TO220 type package  
designed for use in power amplifier and switching circuits.  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V  
Collector–Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V  
Emitter–Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V  
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A  
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A  
Total Power Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60W  
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 320mW/°C  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RΘ  
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.12°C/W  
JC  
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
OFF Characteristics  
Collector–Emitter Sustaining Voltage  
Collector Cutoff Current  
V
I = 100mA, I = 0, Note 1  
80  
–
–
–
–
–
–
–
–
V
CEO(sus)  
C
B
I
V
= 80V, I = 0  
1.0 mA  
0.1 mA  
2.0 mA  
0.1 mA  
1.0 mA  
CEO  
CE  
CE  
CE  
CB  
BE  
B
I
V
V
V
V
= 80V, V  
= 1.5V  
–
CEX  
EB(off)  
EB(off)  
= 80V, V  
= 1.5V, T = +125°C  
–
C
I
= 80V, I = 0  
–
CBO  
E
Emitter Cutoff Current  
I
= 5V, I = 0  
–
EBO  
C
Note 1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.  
12

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