NTE240

更新时间： 2024-11-20 10:30:27

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NTE		晶体视频放大器小信号双极晶体管局域网
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2页	27K
描述
Silicon Complementary Transistors High Voltage Video Amplifier

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NTE240 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	2.14	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	300 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	10 W
最大功率耗散 (Abs)：	10 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	60 MHz	Base Number Matches：	1

NTE240 数据手册

NTE191 (NPN) & NTE240 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

High Voltage Video Amplifier

Description:

The NTE191 (NPN) and NTE240 (PNP) are silicon complementary transistors in a TO202N type

package designed for high–voltage video and luminance output stages in TV receivers.

Features:

D High Collector–Emitter Breakdown Voltage: V_(BR)CEO= 300V (Min) @ I_C= 1mA

D Low Collector–Emitter Saturation Voltage: V_CE(sat)= 0.75V (Max) @ I_C= 30mA

D Low Collector–Base Capacitance: C_cb= 3pF (Max) @ V_CB= 20V

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V

Collector–Base Voltage, V_CB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V

Emitter–Base Voltage, V_EBO

NTE191 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V

NTE240 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Continuous Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA

Total Device Dissipation (T_A= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8mW/°C

Total Device Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80mW/°C

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12.5°C/W

Thermal Resistance, Junction–to–Ambient (Note 2), R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125°C/W

Note 1. NTE191 is a discontinued device and no longer available.

Note 2. R_thJAis measured with the device soldered into a typical printed circuit board.

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

OFF Characteristics

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

Collector–Emitter Breakdown Voltage

Collector–Base Breakdown Voltage

I = 1mA, I = 0, Note 3

300

–

(BR)CEO

(BR)CBO

(BR)EBO

I = 100µA, I = 0

C E

Emitter–Base Breakdown Voltage

NTE191

I = 100µA, I = 0

–

NTE240

Note 3. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.

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