NTE2412

更新时间： 2024-11-19 22:49:55

品牌	Logo	应用领域
NTE		晶体放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	23K
描述
Silicon NPN Transistor General Purpose, High Voltage Amp, (Compl to NTE2413)

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NTE2412 数据手册

NTE2412

Silicon NPN Transistor

General Purpose, High Voltage Amp,

(Compl to NTE2413)

Description:

The NTE2412 is a silicon NPN transistor in an SOT–23 type surface mount package designed for use

primarily in telephone and professional communication equipment.

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA

Collector Power Dissipation, P_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mW

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

Collector–Base Breakdown Voltage V_(BR)CBOI_C= 50µA

Collector–Emitter Breakdown Voltage V_(BR)CEOI_C= 100µA

Emitter–Base Breakdown Voltage V_(BR)EBOI_E= 50µA

300

–

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

I_CBO

I_EBO

V_CB= 200V

V_EB= 4V

–

0.5

2.0

120

–

µA

–

Collector–Emitter Saturation Voltage V_CE(sat)I_C= 50mA, I_B= 5mA

–

DC Current Gain

h_FE

f_T

V_CE= 10V, I_C= 10mA

–

Transition Frequency

V_CE= 30V, I_E= 10mA,

f = 100MHz

100

MHz

Capacitance

C_ob

V_CB= 30V, I_E= 0, f = 1MHz

–

中文翻译

下载PDF

与NTE2412相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE2413	NTE	获取价格	Silicon PNP Transistor General Purpose, High Voltage Amp, (Compl to NTE2412)
NTE2414	NTE	获取价格	Silicon Complementary Transistors Digital w/2 Built-In Bias 10k Resistors (Surface Mount)
NTE2415	NTE	获取价格	Silicon Complementary Transistors Digital w/2 Built-In Bias 10k Resistors (Surface Mount)
NTE2416	NTE	获取价格	Silicon Complementary Transistors High Current General Purpose Amp/Switch
NTE2417	NTE	获取价格	Silicon Complementary Transistors High Current General Purpose Amp/Switch
NTE2418	NTE	获取价格	Silicon Complementary Transistors Digital w/2 Built-In Bias 47k Resistors (Surface Mount)
NTE2419	NTE	获取价格	Silicon Complementary Transistors Digital w/2 Built-In Bias 47k Resistors (Surface Mount)
NTE242	NTE	获取价格	Silicon Complementary Transistors Audio Power Amplifier, Switch
NTE2426	NTE	获取价格	Silicon Complementary Transistors Darlington Switch
NTE2427	NTE	获取价格	Silicon Complementary Transistors Darlington Switch

与NTE2412相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

24
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

16
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

48
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NTE2412

NTE2412 数据手册

与NTE2412相关器件

与NTE2412相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NTE2412

NTE2412 数据手册

与NTE2412相关器件

与NTE2412相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？