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NTE2403

更新时间： 2024-11-20 04:00:19

品牌	Logo	应用领域
NTE		晶体放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	25K
描述
Silicon Complementary Transistors Low Noise, UHF/VHF Amplifier

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NTE2403 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	1.55
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.025 A
集电极-发射极最大电压：	15 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	5000 MHz	Base Number Matches：	1

NTE2403 数据手册

NTE2402 (NPN) & NTE2403 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

Low Noise, UHF/VHF Amplifier

Description:

The NTE2402 (NPN) and NTE2403 (PNP) are silicon complementary transistors in an SOT–23 type

surface mount package designed for use in UHF and microwave amplifiers in thick and thin–film cir-

cuits, such as in aerial amplifiers, radar systems, oscilloscopes, spectrum analysers, etc. These tran-

sistors feature low intermodulation distortion and high power gain. Due to very high transition fre-

quency, these devices also have excellent wideband properties and low noise up to high frequencies.

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2V

DC Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25mA

Total Power Dissipation (T_A≤ +60°C, Note 1), P_tot. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mW

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Ambient (Note 1), R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 430K/W

Note 1. Mounted on a ceramic substrate of .314 (8mm) x .393 (10mm) x .027 (0.7mm).

Electrical Characteristics: (T_J= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector Cutoff Current

DC Current Gain

Symbol

I_CBO

h_FE

f_T

Test Conditions

V_CB= 10V, I_E= 0

Min Typ Max Unit

–

V_CE= 10V, I_C= 14mA

Transition Frequency

Collector Capacitance

Emitter Capacitance

Feedback Capacitance

V_CE= 10V, I_C= 14mA, f = 500MHz

V_CB= 10V, I_E= Ie = 0, f = 1MHz

V_EB= 0.5V, I_C= I_c= 0, f = 1MHz

–

GHz

C_c

–

0.75

0.8

0.4

–

C_e

–

C_re

V_CE= 10V, I_C= 2mA, f = 1MHz,

T_A= +25°C

–

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NTE2403 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NTE65	NTE	完全替代	Silicon NPN Transistor High Voltage, Low Noise for CATV, MATV
NTE123A	NTE	功能相似	Silicon Complementary Transistors General Purpose
NTE108	NTE	功能相似	Silicon NPN Transistor High Frequency Amplifier

与NTE2403相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE2404	NTE	获取价格	Silicon Complementary Transistors Darlington, General Purpose
NTE2405	NTE	获取价格	Silicon Complementary Transistors Darlington, General Purpose
NTE2406	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor General Purpose Amp, Surface Mount (Compl to NTE2407)
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NTE2408	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor General Purpose Amp, Surface Mount (Compl to NTE2409)
NTE2409	NTE	获取价格	Silicon PNP Transistor General Purpose Amp, Surface Mount (Compl to NTE2408)
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NTE2410	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor High Voltage Amp/Driver (Comp to NTE2411)
NTE2411	NTE	获取价格	Silicon PNP Transistor High Voltage Amp/Driver (Compl to NTE2410)
NTE2412	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor General Purpose, High Voltage Amp, (Compl to NTE2413)

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